Пинакоид
Cтраница 3
Ромбический Несколько призм, пинакоид, иногда ( с примесями) - тетраэдр. Вообще чувствителен к воздействию примесей. При подходящем освещении в кристаллах виден дождь - пучки светлых линий, обязанных включениям посторонней твердой фазы в дислокационных каналах, идущих от центральных частей кристаллов к периферии. [31]
Тангенциальный рост на поверхности пинакоида наблюдается лишь при наличии в кристалле ростовых дислокаций с винтовой компонентой вектора Бюргерса. [32]
Типичным примером является поверхность пинакоида. [33]
Тангенциальный рост на поверхности пинакоида наблюдается лишь при наличии в кристалле ростовых дислокаций с винтовой компонентой вектора Бюргерса. [34]
Типичным примером является поверхность пинакоида. [35]
L PC; формы: пинакоиды - второй Ь 010, базопинакоид с 001, е 101, t ЮТ, призмы ромбические m ПО, р 111, о 011; облик призматический ( 5), его можно назвать псевдоромбоэдрическим, особенно явственно проявляется при комбинации 001 и ПО, если грани - их развиты одинаково. [36]
У кристаллов с развитыми гранями пинакоидов определяются два главных показателя преломления. Об остальных оптических свойствах и о методах их определения во всех этих разрезах подробно говорилось выше на стр. [37]
 |
Рельефы пинакоида. [38] |
Установлено, что для поверхности пинакоида дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости отложения вещества по сравнению с нормальным, хотя некоторое увеличение скорости ( о Ш-15 %), несомненно, имеет место. [39]
Отмечены грани первого и второго пинакоидов, притупляющих грани призмы. Слои роста на поверхности граней наблюдаются в том случае, если диаметр этих кристаллов более 10 мкм. Тонкие кристаллы имеют гладкую поверхность, следовательно, первоначально кристаллы растут в длину, что обусловлено присутствием необходимого минимума винтовых дислокаций. Дальнейшее увеличение диаметра монокристалла происходит в результате слоистого роста. [40]
 |
Рельефы пиггакоида. [41] |
Установлено, что для поверхности пинакоида дислокационный механизм не дает существенного выигрыша в скорости отложения вещества по сравнению с нормальным, хотя некоторое увеличение скорости ( 10 - 15 %), несомненно, имеет место. [42]
Отмечены грани первого и второго пинакоидов, притупляющих грани призмы. Слои роста на поверхности граней наблюдаются в том случае, если диаметр этих кристаллов более 10 мкм. Тонкие кристаллы имеют гладкую поверхность, следовательно, первоначально кристаллы растут в длину, что обусловлено присутствием необходимого минимума винтовых дислокаций. Дальнейшее увеличение диаметра монокристалла происходит в результате слоистого роста. [43]
Таким образом, на поверхности пинакоида кристаллов синтетического кварца в одних и тех же условиях проявляются два различных механизма роста. При отсутствии дислокаций наблюдается нормальное отложение вещества с образованием характерной ячеистой структуры. Если же в кристалле имеются винтовые дислокации, кристаллизация происходит в основном по спирально-слоистому механизму. [44]
Центральная, центр инверсии 1, пинакоид. [45]
Страницы: 1 2 3 4