Cтраница 5
Рассматривается вопрос увеличения чувствительности термосигнализатора на транзисторах путем повышения величины напряжения питания мостовой схемы. Показано, что импульсный способ питания моста дает возможность решить задачу значительного увеличения чувствительности устройства при высокой его точности. Предлагается новая схема полупроводникового термосигнализатора, собранная только на элементах импульсных схем, и доказывается, что его чувствительность не зависит от чувствительности исполнительного реле. [61]
![]() |
Схема с компенсацией нелинейности узлов гальванической изоляции. [62] |
При несимметричной схеме включения операционного усилителя ( рис. 6.18, а) питание мостовой схемы осуществляется от отдельного источника напряжения Е, который не имеет общей точки с источником питания операционного усилителя. Резистор Rt задает нужный ток через терморезистор Rt. Обычно выбирают Яз Rt, а Ro Rto, где Rto - сопротивление терморезистора при температуре, равной нижнему значению измеряемого диапазона. [63]