Плазма - дуга
Cтраница 3
 |
Зависимость температуры плазмы дуги от потенциала ионизации элементов. [31] |
При повышении тока в дуге температура плазмы дуги несколько повышается. [32]
 |
Схема образования плазмы дуги в отсутствие магнитного поля ( 0 Гс и в магнитных полях разной напряженности ( 50, 180 и 900 Гс. [33] |
Влияние неоднородного магнитного поля [8-10] на плазму дуги в целом подобно влиянию однородного поля. При использовании широкого анода разряд стабилен даже в сильных полях. На рис. 4.8 показано изменение формы плазмы дуги с увеличением напряженности магнитного поля. Через Нг обозначена вертикальная компонента ( вдоль оси г) неоднородного магнитного поля, измеренная на оси дуги над поверхностью анода. Можно видеть, что с увеличением напряженности поля исходная приблизительно сферическая плазма вначале расширяется в нижней части ( магнитная колба), а затем при очень высоких полях расщепляется на части. [34]
Детально изучен метод просыпки порошков в горизонтальную плазму дуги переменного тока. [35]
Тральных линий в значительной мере определяется составом плазмы дуги. [36]
Осевое и радиальное распределение частиц элементов в плазме дуги между металлическими электродами, как и в угольной дуге, определяется диффузией, конвекцией и переносом под действием осевого электрического поля. [37]
 |
Вольт-амперные характеристики дуги в воздухе при зазоре между углями 3 и 6 мм. [38] |
В область ореола происходит диффузия заряженных частиц из плазмы дуги. Катод и анод дуги также менее накалены, чем газ в области пламени, хотя, как это уже отмечалось, температура катода все же настолько высока, что эмиссия электронов имеет термоэлектронную природу. [39]
 |
Схема гашения дуги в щелевой камере. электромагнитного выключателя. [40] |
Охлаждение дуги происходит за счет хорошего теплового контакта плазмы дуги с поверхностью изоляционных стенок камеры, обеспечивающих эффективный отвод тепла. Интенсивность охлаждения зависит от температуры плазмы и скорости рекомбинации у поверхности охлаждающих стенок и почти не зависит от скорости перемещения дуги. Конвективное охлаждение столба дуги встречными потоками воздуха в данном случае играет незначительную роль. [41]
 |
Зависимость диффузионной постоянной времени. [42] |
Третий способ получения достаточно ионизованной плазмы заключается в использовании плазмы дуги высокого давления. В этом случае достижимы температуры вплоть до 25 000 К, и даже при низкой степени ионизации столкновения электронов с ионами могут оказаться более существенными [66], чем столкновения электронов с нейтральными частицами. Обычно в этих экспериментах можно проверить пропорциональную Т3 / 2 зависимость электропроводности от. Температура при этом измеряется независимо спектроскопическим методом. Из рис. 8.23 следует удовлетворительное согласие эксперимента [66] с вычислениями для электрон-ионных столкновений. [43]
Большой интерес для аналитика представляет механизм поступления вещества в плазму дуги и его уноса, а также распределение частиц анализируемого вещества в столбе дуги. Поступление анализируемого вещества и материала электродов определяется процессами испарения и зависит от температуры электродов. [44]
Повышение стабильности введения анализируемой пробы из полости электрода в плазму дуги достигается применением добавок, образующих газы. [45]
Страницы: 1 2 3 4