Плазма - высокая плотность
Cтраница 2
Если дополнительной активации процесса ХОГФ нет, то для термической активации обозначается диапазон температур: LT - низкотемпературный; НТ - высокотемпературный. Быстрая термическая активация обозначается как RT. Если дополнительная активация есть, то процесс ХОГФ считается низкотемпературным, и обозначается вид дополнительной активации: РЕ - плазменная активация; HDP - активация плазмой высокой плотности; RE - радикальная активация; PhE - фотонная активация; СЕ - активация катализатором. [16]
 |
Обскурограмма пинча в плазменном фокусе. а - в режиме с одним сжатием. б - в режиме с двумя сжатиями. [17] |
Этот режим приходит на смену предыдущему, когда толщина напыленного на анод металла, насыщенного рабочим газом, достигает десятков мкм. Рабочий газ в основном отжимается от анода, так что в конце пин-чевания вблизи центра этого электрода формируется короткий 1 см) пинч малого диаметра ( - 1 мм) с плазмой высокой плотности - ( 3 - 5) - 1019 CM S. В этом плазменном сгустке снова образуется плазменный диод ( разрыв на пинче), напряжение на к-ром после резкого подъема ( 1СГ8 с) до величин ок. При этом мощный электронный поток, заменивший во втором режиме ток проводимости, сам замагничивается и замещается через нек-рое время ионным потоком. [18]
Если плазма находится в магнитном поле, то возникает целый ряд интересных явлений. Грубо говоря, плазма высокой плотности достаточно хорошо подчиняется законам, которые были выведены в гл. В плазме средней плотности магнитное поле создает резко выраженную анизотропию, и в некоторых отношениях плазма существенно отличается от замагниченной жидкости. Наконец, плазма низкой плотности ( бесстолкновительная) представляет собой своего рода переход к случаю движения одиночной частицы в высоком вакууме ( см. гл. Для космической физики важны все три случая. [19]
Страницы: 1 2