Плазма - газовый разряд
Cтраница 2
Разложение МОС в плазме газового разряда может бить использовано и для получения порошков чистых окислов. Для этой цели разложение ведется в токе кислорода в объеме реакционной камеры. [16]
Разложением тетраэтилолова в плазме газового разряда получены топкие металлические пленки олова с удельным сопротивлением 10 - 5 - 10 u ом-см it пленки, обладающие полупроводниковыми свойствами с удельным сопротивлением 10 - - К) 3 ом-см. [17]
Примером неравновесной плазмы является плазма газового разряда. [18]
Опытом установлено наличие в плазме газового разряда колебаний в этом диапазоне частот. [19]
Наиболее эффективной является очистка в плазме газового разряда или катодное ( ионное) травление. [20]
 |
Схема установки для травления полимеров в линейном высокочастотном безэлектродном газовом разряде.| Схематическое изображение устройства колонны микроскопа просвечивающего типа. [21] |
В процессе обработки полимера в плазме газового разряда поверхность образца почти не нагревается, что устраняет возможность искажения структуры поверхностных слоев полимера. Структурный рельеф проявляется за счет разности скоростей деструкции кристаллич-ных и аморфных участков полимера, обусловленной различием в их плотностях. [22]
Преимуществом метода осаждения пленок разложением МОС в плазме газового разряда является то, что подложка может иметь температуру, близкую к комнатной. [23]
В отличие от обычного осаждения пленок в плазме газового разряда осаждение пленок из ионного пучка, вытянутого из плазмы, сопровождается более полным разложением МОС благодаря дополнительной бомбардировке ускоренными ионами образующейся пленки, вследствие чего последняя меньше загрязняется углеродом. [24]
Рабочим телом наиболее представительного семейства газоразрядных лазеров является плазма газового разряда. Под плазмой принято понимать частично или полностью ионизованное квазинейтральное газообразное вещество, размеры которого существенно превышают так называемый радиус Дебая, являющийся характерным размером, на котором происходит экранировка внесенного электрического заряда и где электрическая нейтральность плазмы может нарушаться. [25]
Оно имеет преимущественно химическую природу и производится в плазме газового разряда, в котором присутствуют реакционноспособные частицы активных газов: ионы, электроны, свободные радикалы. Эти частицы химически взаимодействуют с травящейся поверхностью, в результате чего образуются летучие соединения, удаляемые из пространства взаимодействия форвакуумным насосом. Продукты разряда включают атомы фтора F и радикалы CFs, CF2, CF. Частицы, участвующие в травлении, удаляют один и тот же материал с разной скоростью, зависящей от мощности и парциального давления газа в системе. Это свойство селективности травления широко используется в практике. [26]
На процесс осаждения пленок путем разложении МОС в плазме газового разряда и на свойства получаемых пленок вшяет ряд факторов. К их числу следует отнести тип разряда, мощность разряда, плотность тока тлеющего разряда, пототщиал подложки, геометрию реакционной камеры, отношение площади подложки к площади попоротого сечения камеры, первоначальное давление остаточных газов, давление в камере, состав газового потока, скорость поступления паров МОС, температуру подложки, скорость и время осаждения. [27]
Перечислим основные физико-химические процессы, которые обусловливают формирование из первичной дебаевской плазмы газового разряда холодной аэрозольной плазмы. [28]
В одном из газовых оптических квантовых генераторов усиливающей средой служит плазма высокочастотного газового разряда, полученная в смеси елия с неоном. Переход атомов неона с этого уровня на один из нижних уровней 117 сопровождается излучением лазера. На рис. 40.6 изображена упрощенная трехуровневая энергетическая диаграмма такого лазера. [29]
В одном из газовых оптических квантовых генераторов усиливающей средой служит плазма высокочастотного газового разряда, полученная в смеси гелия с неоном. Вследствие соударений с электронами атомы гелия переходят в возбужденное состояние УЪ. При столкновениях возбужденных атомов гелия с атомами неона последние также возбуждаются и переходят на один из верхних уровней неона, близко расположенных к соответствующему уровню гелия. При переходе атомов неона с этого уровня на один из нижних уровней Wi осуществляется излучение лазера. На рис. 40.6 изображена упрощенная трехуровневая энергетическая диаграмма такого лазера. [30]
Страницы: 1 2 3 4