Слабонеидеальная плазма

Cтраница 2

Зависимость снижения потенциала ионизации атома ( в единицах kT от параметра неидеальности. 1 - теория Дебая, 2 - БД-теория, 3 - энергия взаимодействия зарядов на среднем межионном расстоянии, отнесенная к температуре, 4 - данная работа. [16]

Обсудим теперь переход к дебаевской асимптотике. Для этого рассмотрим высокотемпературную ( / 3Ry С 1) слабонеидеальную плазму. [17]

Внутренние статсуммы заряженных и нейтральных кластеров при Т 1750 К. [18]

Основным результатом работы явилась аномально низкая величина уширения линии, на порядок меньшая, чем дает оценка для слабонеидеальной плазмы. [19]

Рассмотрим коэффициент оптического поглощения для плазмы паров цезия. Основным результатом работы явилась аномально низкое значение уширения линии. Полуширина линии оказалась более чем на порядок меньше, чем дает оценка для слабонеидеальной плазмы, и составила 8, 21 и 48 А при Т 1173, 1473 и 1773 К соответственно. [20]

Экспериментальные значения термоэдс цезия. штриховая линия - . сплошная линия -.| Изотермы удельной электропроводности цезия ( сплошные кривые и удельная электропроводность на кривой сосуществования фаз ( штриховая. Кривые проведены по экспериментальным точкам. [21]

Обращает на себя внимание аномально высокий уровень электропроводности насыщенного пара. Он на 5 - 6 порядков превышает уровень стандартных идеально-газовых оценок. Далее, при нагреве по изобаре удельная электропроводность, начиная с этих высоких значений, резко падает. Она уменьшается на изобаре 2 МПа до минимального значения 2 - 10 - 2 Ом - см 1 и далее при нагреве начинает увеличиваться, как в слабонеидеальной плазме. [22]

Для расчета уширения линий в плазме привлекаются ударное ( столкновительное) и квазистатическое приближения. Квазистатическое приближение применимо, когда возмущающие частицы движутся относительно медленно, так что за интересующий нас промежуток времени возмущение практически постоянно. Это приближение используется для описания взаимодействия атома с ионами. В другом предельном случае излучающая система большую часть времени не испытывает никаких возмущений, за исключением коротких ударов, хорошо разнесенных во времени. Это приближение в слабонеидеальной плазме используется для описания возмущения атома электронами. [23]

Действительно, в плотной среде состояние заряженных частиц претерпевает радикальные изменения. Благодаря силам притяжения, действующим между заряженными и нейтральными частицами, образуются заряженные кластеры. Кластеры стабилизируются наличием на них заряда. Строение кластеров сильно зависит от степени неидеальности. Проследим за изменением структуры кластера в паре при нагреве на изобаре. При температуре несколько большей Ts - это менее плотные образования, которые уже нельзя считать жидкими, но которые по-прежнему находятся в динамическом равновесии с паром. При заметно больших температурах - это кластерные ионы, содержащие несколько атомов и связанные поляризационными силами. Наконец, в слабонеидеальной плазме кластерные ионы диссоциируют и остаются обычными молекулярными ионами. Существование кластеров может сильно влиять на свойства вещества. Например, в насыщенных парах цезия термоэмиссия электронов из капелек повышает степень ионизации и удельную электропроводность плазмы на порядки. Это является причиной аномально высокой электропроводности высокотемпературных паров металлов вблизи линии насыщения. [24]

Страницы: 1 2