Cтраница 2
Исследование условий образования, строения и свойств TiN было поставлено автором в Институте им. Касаточшш показали, что нитрид титана образуется начиная от 400 X. Брегер, при участии Б. А. Петрова, М. В. Павловой и др., синтезировавших различные образцы нитрида, показал, в частности, что существовавшие ранее в литературе данные зарз бежных исследователей относительно периода решетки TiN ( 4 40kX) неправильны. Невидимому, столь значительная ошибка в определении периода решетки вызвана, прежде всего, тем, что зарубежные авторы, не имели в своем распоряжении чистых образцов. [16]
В частности, если принять модель, рассмотренную нами в § 2, л, в ко торой адсорбционными центрами являются свободные электроны кристалла, то в качестве газа адсорбционных центров мы имеем дело с электронным газом в поверхностном слое кристалла. В этом случае наша картина совпадает с картиной Брегера и Жуховицкого 2, которые при вычислении дифференциальной теплоты адсорбции учитывали происходящее при адсорбции изменение энергии электронного газа в кристалле. Различие заключается в том, что Брегер и Жуховицкий рассматривали электронный газ в металле, в то время как в нашей модели ( § 2, л) мы имеем дело с электронным газом в полупроводнике. В модели Брегера и Жуховицкого, так же как и в нашей модели, каждая адсорбируемая молекула связывается с поверхностью кристалла при помощи электрона решетки; при этом этот электрон выпадает из общего семейства свободных электронов. Таким образом, в модели Брегера и Жуховицкого свободные электроны кристалла трактуются как адсорбционные центры, так же как и в нашей модели. [17]
Изопреноиды, стероиды и родственные им циклические компоненты липидной фракции являются наиболее вероятными исходными веществами для аренов. Эрдман ( Erdman, 1961); Хансон ( Hanson, 1959); Брегер ( Breger, 1960) и Майншайн ( Meinschein, 1962) предложили простые экзотермические реакции, с помощью которых отдельные из выше перечисленных веществ превращаются в арены. [18]
В частности, если принять модель, рассмотренную нами в § 2, л, в ко торой адсорбционными центрами являются свободные электроны кристалла, то в качестве газа адсорбционных центров мы имеем дело с электронным газом в поверхностном слое кристалла. В этом случае наша картина совпадает с картиной Брегера и Жуховицкого 2, которые при вычислении дифференциальной теплоты адсорбции учитывали происходящее при адсорбции изменение энергии электронного газа в кристалле. Различие заключается в том, что Брегер и Жуховицкий рассматривали электронный газ в металле, в то время как в нашей модели ( § 2, л) мы имеем дело с электронным газом в полупроводнике. В модели Брегера и Жуховицкого, так же как и в нашей модели, каждая адсорбируемая молекула связывается с поверхностью кристалла при помощи электрона решетки; при этом этот электрон выпадает из общего семейства свободных электронов. Таким образом, в модели Брегера и Жуховицкого свободные электроны кристалла трактуются как адсорбционные центры, так же как и в нашей модели. [19]
Однако расчет Брегера и Жуховицкого, проводимый ими применительно к металлу, недостаточно убедителен. Расчет построен на утверждении, что точки поверхности, занятые адсорбированными молекулами, являются узловыми точками, в которых волновые функции для остальных ( оставшихся свободными) электронов обращаются в нуль. Это утверждение, которое авторами никак не мотивируется, само по себе не является очевидным. Действительно, в случае одномерной модели, рассматриваемой Брегером и Жуховицким ( металл как цепочка атомов), узловая точка у волновой функции означает наличие непроницаемого для электрона потенциального барьера. Таким образом, потенциальный ящик с плоским дном, наполненный свободными электронами и изображающий собой металл, оказывается перегороженным непроницаемыми стенками, число которых равно числу адсорбированных молекул. [20]
Обращает внимание отсутствие в книге ссылок на русские экспериментальные работы по структурной неорганической химии. Между тем, у наев СССР созданы крупные центры экспериментальных исследований по структурной неорганической химии. Карпова были выяснены структуры ряда гидридов и перекисей щелочных элементов ( Казарновский И. А.), затем карбидов и нитридов бора, титана и других химических элементов ( Жданов Г. С., Брегер А. В Институте кристаллографии АН СССР Н. В. Беловым систематически велись исследования по структуре силикатов и алюмосиликатов, которые опубликованы им в статье Некоторые элементарные свойства минералов в свете их тонкой структуры, Зап. [21]
В частности, если принять модель, рассмотренную нами в § 2, л, в ко торой адсорбционными центрами являются свободные электроны кристалла, то в качестве газа адсорбционных центров мы имеем дело с электронным газом в поверхностном слое кристалла. В этом случае наша картина совпадает с картиной Брегера и Жуховицкого 2, которые при вычислении дифференциальной теплоты адсорбции учитывали происходящее при адсорбции изменение энергии электронного газа в кристалле. Различие заключается в том, что Брегер и Жуховицкий рассматривали электронный газ в металле, в то время как в нашей модели ( § 2, л) мы имеем дело с электронным газом в полупроводнике. В модели Брегера и Жуховицкого, так же как и в нашей модели, каждая адсорбируемая молекула связывается с поверхностью кристалла при помощи электрона решетки; при этом этот электрон выпадает из общего семейства свободных электронов. Таким образом, в модели Брегера и Жуховицкого свободные электроны кристалла трактуются как адсорбционные центры, так же как и в нашей модели. [22]