Верхняя пластина - конденсатор
Cтраница 2
 |
Схемы комбинированных технологических процессов изготовления микросхем. [16] |
А: 1 - керамическая подложка; 2 - А1; 3 - Та; 4 - частично окисленный тантал; 5 - селективное гальваническое осаждение хрома и золота; Б: 1 - керамическая подложка; 2 - металлическая пластина конденсатора; 3 - диэлектрик - стекло; 4 - верхняя пластина конденсатора; S - защитное диэлектри ческое покрытие ( стекло); В: 1 - керамическая подложка; 2 - нихром или тантал; 3 - золото: 4 - гальваническое покрытие: 5 - фоторезист. [17]
Таблетированный материал загружают на стол генератора, который одновременно является нижней пластиной конденсатора в колебательном контуре генератора. Положение верхней пластины конденсатора ( расстояние между пластинами) изменяется винтовым регулятором. На передней панели генератора установлены амперметр и миллиамперметр для измерения анодного и сеточного токов генераторной лампы, а также переключатель сопротивления для регулирования тока смещения сетки лампы. Лампы сигнализируют о включении питания генератора и колебательного контура. [18]
Чтобы пылинка могла находиться в равновесии, верхняя пластина конденсатора должна быть заряжена отрицательно. [19]
Данный метод позволяет в случае необходимости компенсировать высокий положительный заряд частицы, образовавшейся при ее ионизации. Это легко достигается фокусировкой ультрафиолетового света на нижнюю поверхность верхней пластины конденсатора. Эмитированные при этом фотоэлектроны будут двигаться в межэлектродном пространстве к положительной нижней пластине. В процессе движения они будут захватываться положительно заряженной частицей, восстанавливая ее первоначальный заряд до любой желаемой величины. [20]
В этой схеме несколько высоковольтных ртутных выпрямителей включены последовательно так, что через цепь, образуемую выпрямителями, заряд одного знака ( на схеме - отрицательный) стекает в землю. Тогда заряд другого знака ( на схеме - положительный) сосредоточивается на верхних пластинах конденсаторов, две цепочки которых подключены к обоим концам вторичной высоковольтной обмотки трансформатора. Когда нагрузка невелика, на каждом конденсаторе получается удвоенное максимальное напряжение вторичной обмотки трансформатора. [21]
 |
Схема конвейерной высокочастотной сушки полихлорвиниловой порошковой смолы.| Изменение температуры и влажности полихлорвиниловой порошковой смолы ори высокочастотной сушке. [22] |
В этой сушилке для конвейе-ра применена лента из хлопчатобумажного бельтинга. Во избежание - пробоя воздушного промежутка конденсаторов зазор между поверхностью продукта на ленте и верхними пластинами конденсатора принят 70 мм. [23]
До замыкания ключа конденсаторы С, и С2 были соединены последовательно и подключены к батарее. Их заряды были равны. На правой пластине конденсатора С1 и на верхней пластине конденсатора С2 заряды имели разные знаки - суммарный заряд этих пластин был равен нулю. [24]
Для поддержания смещения на сетке лампы на неизменном уровне, равном исходному запирающему напряжению, потенциал сетки Л3 должен изменяться на ту же величину, на какую изменилось напряжение на конденсаторе. K имеет значительную величину, коэффициент передачи катодного повторителя близок к единице и потенциал сетки Л, подключенной к движку потенциометра tRK, изменяется в той же степени, что и потенциал верхней пластины конденсатора, подключенной к сетке катодного повторителя. [25]
 |
Подставка для присоединения батареи воздушных конденсаторов к измерительному устройству. [26] |
На кольцах укреплены также контактные стержни КС, проходящие по всей высоте конденсатора и выходящие наружу как со стороны крышки, так и дна конденсатора. Это позволяет осуществлять параллельное соединение конденсаторов, ставя их один на другой и соединяя контактные стержни соседних конденсаторов с помощью пружинящих штепселей, вставляемых в гнезда на концах контактных стержней. Этим достигается минимальное изменение емкости при параллельном включении. Для точной подгонки емкости ( до zfc 0 2 пф) на верхней пластине конденсатора делается секторный вырез, который может перекрываться крылаткой - подвижной пластинкой секторной формы; после подгонки емкости до требуемого значения крылатка зажимается в нужном положении с помощью винта. [27]
Давно известно, что исследования монокристаллических образцов наиболее благоприятны для понимания экспериментальных результатов. Однако получение больших монокристаллов связано со значительными экспериментальными трудностями. В связи с этим метод МПА, использующий монокристаллы микроскопических размеров, получение которых не представляет особых сложностей, дает существенные преимущества. Блок-схема установки МПА схематически показана на рис. 4.2.8. В рабочем режиме микрокристаллы исследуемого материала вводятся в камеру через воронку в верхней пластине конденсатора. Камера откачивается и заполняется чистым азотом или аргоном до давлений, немного превышающих атмосферное. Движение плунжера приводит к выпадению трибоэлектрически заряженных ( положительно или отрицательно) микрокристаллов в рабочий объем камеры между пластинами конденсатора. Задавая полярность и величину потенциала нижней пластины, можно добиться, чтобы частица с выбранной величиной заряда была электрически взвешена в поле конденсатора. На рис. 4.2.8 схематически показана также оптическая система освещения частицы. Пучок света гелий-неонового лазера мощностью 1 мВт входит через электрически изолированный прозрачный электрод в верхней пластине вдоль вертикальной оси прибора и выходит из камеры через прозрачное проводящее окно в нижней пластине. Лазерный пучок служит для освещения частицы светом с длиной волны, далеко отстоящей от длины волны возбуждающего света. Свет, рассеянный частицей, фокусируется на край зеркала, делящего пучок на две части. При смещении частицы вверх или вниз из центрального положения на расстояние, превышающее половину ее диаметра ( или расстояние, ограниченное дифракцией светового пятна), рассеянный свет почти полностью попадает на один из двух фотоумножителей, показанных на рис. 4.2.8. Для любого промежуточного положения рассеянный свет попадает на оба фотоумножителя. [28]
 |
Совмещенная микросхема. [29] |
На этом заканчивается обработка подложки и начинается осаждение тонкопленочных элементов. Затем выполняется осаждение нихрома. В стекле над контактными областями и в местах коммутации верхних пластин конденсаторов создаются окна. [30]
Страницы: 1 2 3