Селеновая пластина

Cтраница 1

Характеристика селенового выпрямителя. [1]

Селеновые пластины считаются исправными, если коэффициент выпрямления по току для трехфазной мостовой схемы лежит в пределах 1 15 - 1 3 и для однофазной - 0 8 - 0 9, а также, если значение его практически не зависит от сопротивления нагрузки. [2]

Часто селеновые пластины имеют собственные дефекты, которые должны оцениваться. Дефекты на полученной электрорентгенограмме определяются визуально, а при необходимости - проверкой размеров дефектов с помощью микроскопа. Средняя концентрация точек диаметром до 1 мм определяется подсчетом числа белых и черных точек на нескольких участках электрорентгенограммы и делением его на общую площадь этих участков. Для определения концентрации точек диаметром 1 - 4 мм подсчитывают их число на всей электрорентгенограмме. [3]

Про-мышленно изготовляемые селеновые пластины имеют светочувствительность порядка 1 - 2 единиц ГОСТа. По сравнению с обычно применяемыми фотолюбителями галогенидо-серебряными слоями светочувствительность эта очень мала. Однако для специальных целей, которые ставятся перед электрофотографией ( в частности, для репродуцирования), она вполне достаточна. [4]

Электризация селеновой пластины осуществляется з поле коронного разряда, при этом ионы осаждаются на фо-тополупроводящий слой, являющийся барьером на их пути. Образовавшееся электрическое поле препятствует дальнейшему осаждению одноименных ионов. Предельный потенциал полупроводникового слоя характеризуется динамическим равновесием между количеством осаждаемых зарядов и зарядов, стекающих на подложку. Потенциал зарядки электрорадиографической пластины пропорционален времени заряда, разности потенциала между корони-рующим электродом и подложкой и толщине фотополупро-водящего слоя. Оптимальное значение потенциала электрорадиографической пластины после электризации находится в пределах 800 - 1300 В. [5]

Обработка проэкспонированной селеновой пластины производится в электрорадиографическом аппарате в соответствии с инструкцией по его эксплуатации и техническим описанием. При передержке снимок темнеет и четкость изображения на нем снижается. [6]

Кассету с селеновой пластиной со стороны, противоположной источнику излучения, защищают от рассеянного излучения экранами из свинцовых листов толщиной 2 - 3 мм. Так как деформация шторки кассеты может привести клокальным разрядам селенового слоя, обращают особое внимание на ее недопустимость при установке изделия для контроля. [7]

Время экспонирования на селеновой пластине может быть рассчитано по времени экспонирования на рентгеновской пленке умножением последнего на отношение переходного коэффициента для селеновой пластины к переходному коэффициенту для рентгеновской пленки, который зависит от применяемых усиливающих экранов. Режимы электрорадиографического контроля при использовании новых селеновых пластин подбирают экспериментально с учетом опыта работы на электрорадиографическом аппарате. [8]

Примечательна то, что селеновые пластины могут использоваться многократно. К отечественным электрографическим аппаратам относятся аппараты плоскостного типа ЭП-12РМ2 и ЭП-22Р. Из зарубежных следует отметить копировальный аппарат Ксерокс-720, который позволяет изготавливать копии со сброшюрованных оригиналов со скоростью 12 копий / мин. [9]

Снсхыа управления позволяет заряжать селеновые пластины как положительным, так и отрицательным потенциалом. Устройство для сухого проявления представляет собой ванночку с сухим проявителем, которая выдвигается из процессора для закрепления па ней кассеты с экспонированной селеновой пластиной. [10]

Структура селеновой вы - ниевые - тонкий слой С1 2 мк прямительной пластины. висмута или никеля ( висмут. [11]

Для улучшения выпрямляющих свойств селеновые пластины подвергаются электрической формовке, которая производится путем длительного приложения постоянного напряжения в запирающем направлении. При этом создаются благоприятные условия для диффузии кадмия в селен и наращивания слоя селенида кадмия. Прохождение электрического тока содействует образованию равномерного по толщине запирающего слоя, так как в наиболее слабых местах увеличивается плотность тока, что приводит к локальному повышению температуры и более интенсивному соединению кадмия с селеном. [12]

Для улучшения выпрямляющих свойств селеновые пластины подвергают электрической формовке, которую производят путем длительного приложения постоянного напряжения в запирающем направлении. При этом создаются благоприятные условия для диффузии кадмия в селен и наращивания слоя селенида кадмия. [13]

Структура селеновой выпрямительной пластины.| Вольт-амперная характеристика селеновой выпрямительной пластины. [14]

Для улучшения выпрямляющих свойств селеновые пластины подвергают электрической формовке, которую производят путем длительного приложения постоянного напряжения в обратном направлении. При этом создаются благоприятные условия для диффузии кадмия в селен и наращивания слоя селенида кадмия. Прохождение электрического тока способствует образованию равномерного по толщине гетероперехода, так как в наиболее слабых местах увеличивается плотность тока, что приводит клокальному повышению температуры и более интенсивному соединению кадмия с селеном. Практически в установках для выпрямления переменного тока в большинстве случаев соединяют ряд селеновых пластин последовательно для получения более высокого выпрямленного напряжения и параллельно для выпрямления больших токов. При этом в один конструктивный узел входит несколько отдельных пластин, образуя выпрямительные столбы и блоки. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5