Заготовленная пластина
Cтраница 1
Заготовленные пластины и миканитовую изоляцию собирают вручную на круглой плите, применяя стальное прессующее кольцо. Пластины устанавливают вертикально на плите и вставляют между ними куски изоляции. [1]
 |
Устройство коллектора ( а и способ его динамической формовки ( б. [2] |
Заготовленные пластины и мпканитовую изоляцию собирают вручную на круглой плите, применяя стальное прессующее кольцо. Пластины устанавливают вертикально на плите и вставляют между ними миканитовую межпластинную изоляцию. [3]
Заготовленные пластины и миканитовую изоляцию собирают вручную на круглой плите, применяя стальное прессующее кольцо. Пластины устанавливают вертикально на плите и вставляют между ними миканитовую межпластинную изоляцию. [4]
 |
Самодельный конденсатор переменной емкости с твердым диэлектриком. [5] |
Заготовленные пластины должны быть совершенно ровными и не иметь заусенцев по краям. Все неподвижные пластины нужно сложить, зажать в тиски, опилить напильником и зачистить мелкой наждачной бумагой. [6]
Заготовленные пластины и миканитовую изоляцию собирают вручную на круглой плите, применяя стальное прессующее кольцо. Пластины устанавливают вертикально на плите и вставляют между ними куски изоляции. Затем устанавливают на манжету пластины 3 с прессовочным кольцом 4, следя за тем, чтобы не было перекосов. Далее проверяют горизонтальность поверхности пластин и верхнего нажимного конуса относительно сборочной плиты. Коллектор нагревают в печи и прессуют, подтягивая под прессом гайку. После этого с помощью пресса с кол л ктора снимают прессовочное кольцо. [7]
Заготовленные пластины и миканитовую изоляцию собирают вручную на круглой плите, применяя стальное прессующее кольцо. Пластины устанавливают вертикально на плите и вставляют между ними куски изоляции. [8]
 |
Схема получения меза-структуры. [9] |
Этот метод создания полупроводниковых приборов получил такое название потому, что диодный и транзисторный переходы структур, изготовленных данным методом, а также омические контакты и контактные площадки выводятся на одну плоскость полупроводниковой пластины. Заготовленную пластину подвергают термообработке в атмосфере кислорода. [10]
Такое название этот метод создания полупроводниковых приборов получил потому, что диодный и транзисторный р - п переходы структур, изготовленных данным методом, выводятся на одну плоскость полупроводниковой пластины. Заготовленную пластину подвергают термообработке в атмосфере кислорода. При этом на пластине образуется слой непроводящей оксидной пленки ( двуокиси кремния SiC) толщиной 1 - 1 5 мк. Затем с помощью фотолитографии и последующего селективного травления в плавиковой кислоте удаляют оксидную пленку. После этой операции получают ряд участков, не защищенных оксидной пленкой, и диффузионным методом образуют на незащищенной поверхности базовый р - п переход. Эмиттерную область создают аналогично с помощью фотолитографии, селективного травления и последующей второй диффузии. [11]
В последние годы все более широко стало применяться двустороннее жаростойкое покрытие стали в виде керамических или оксидных пленок, наносимых на металлургическом заводе после прокатки. Это покрытие не повреждается при обработке пластин стали инструментом, не оставляющим заусенцев, и выдерживает отжиг заготовленных пластин. Благодаря более тонкой пленке жаростойкое покрытие дает коэффициент заполнения сечения стержня более высокий, чем лаковая пленка. При заготовке пластин для магнитных систем трансформаторов большой мощности иногда сверх жаростойкого покрытия пластины после отжига подвергаются однократной лакировке. [12]
При линейном перемещении узла с цилиндром для сверления следующего ряда отверстий использована установочная планка УСП-282, которая укреплена к квадратной опоре УОП-205 или УСП-206 на боковой плоскости поворотной головки УСП-600. В этом пазе размещены - пластины, изготовленные точно по форме и размером поперечного сечения Т - образной шпонки УСП-304. Часть заготовленных пластин установлена заподлицо с боковой плоскостью плиты в качестве прокладок между остальными пластинами, которые выступают за плоскость плиты и служат для установки фиксатора при линейном делении. Количество пластин, выступающих за плоскость, соответствует количеству рядов отверстий. [13]
Холоднокатаная сталь в значительно большей степени, чем горячекатаная, чувствительна к механическим воздействиям. В результате механической обработки при заготовке пластин магнитной системы - продольной и поперечной резки, закатки или срезания заусенцев, штамповки отверстий ( в некоторых конструкциях), увеличиваются удельные потери и удельная намагничивающая мощность стали. Это ухудшение магнитных свойств стали может быть полностью или в значительной мере снято путем восстановительного отжига заготовленных пластин при температуре 800 - 820 С. На современных заводах такой отжиг обязательно включается в технологический процесс изготовления пластин после их механической обработки. [14]
Холоднокатаная сталь в значительно большей степени, чем горячекатаная, чувствительна к механическим воздействиям. В результате механической обработки при заготовке пластин магнитной системы - продольной и поперечной резки, закатки или срезания заусенцев, штамповки отверстий ( в конструкциях реакторов) - увеличиваются удельные потери и удельная намагничивающая мощность стали. Это ухудшение магнитных свойств стали может быть полностью или в значительной мере снято путем восстановительного отжига заготовленных пластин при 800 - 820 С. На современных заводах такой отжиг обязательно включается в технологический процесс изготовления пластин после их механической обработки. Особенно сильно магнитные свойства стали ухудшаются при изготовлении частей магнитной системы путем навивки из холоднокатаной ленты. Такие части должны отжигаться после навивки. [15]
Страницы: 1 2