Cтраница 1
Отшлифованные пластины промывают спиртобензольной смесью, просушивают между листами фильтровальной бумаги и взвешивают на аналитических весах с погрешностью не более 0 0002 г. Пластины берут только пинцетом. [1]
![]() |
Химический состав стали ( в % для клапанных пружин. [2] |
Предварительно отшлифованные пластины подвергают термической обработке. Пластины набирают в приспособление, вставляют в пакет и стягивают их для предотвращения коробления. Затем их нагревают до 850 С и закаливают в масле. Температура масла перед закалкой должна быть 50 - 60 С. [3]
![]() |
Механическая вырубка круглых контуров деталей.| Штамп для вырубки квадратных контуров деталей. [4] |
Вначале на отшлифованных пластинах толщиной 3 - 4 мм, изготовленных из стали У8А, размечают рабочие контуры матрицы. Затем внутреннюю часть контура матрицы высверливают и фрезеруют, оставляя припуск 0 1 - 0 5 мм на окончательную обработку. [5]
Вначале на отшлифованных пластинах толщиной 3 - 4 мм, изготовленных из стали У8А, размечают рабочие контуры матрицы; затем внутреннюю часть контура матрицы высверливают и фрезеруют, оставляя припуск 0 1 - 0 15 мм на окончательную обработку. После этого матрицу опиливают по внутреннему контуру и вгоняют в нее пуансон, подвергнутый термической обработке и доводке. В процессе припиловки матрицы по внутреннему контуру не стремятся к большой точности обработки, поэтому зазор между пуансоном и матрицей бывает неравномерным. Вогнав пуансон в матрицу, производят обжимку ( чеканку) по контуру гнезда матрицы на расстоянии 1 - 1 5 мм от кромки пуансона до тех пор. Затем, не извлекая пуансон из матрицы, их шлифуют; при этом устраняются вмятины, образовавшиеся при чеканке. [6]
Принципиальное устройство точечного диода показано на рис. 2 - 8, г. В хорошо отшлифованную пластину германия или кремния с n - проводимостью упирается металлическая игла. В месте соприкосновения иглы образуется выпрямляющий ( нелинейный) контакт. При изготовлении точечных диодов контакт металл - полупроводник подвергается электрической формовке, которая заключается в пропускании через диод мощных коротких импульсов тока. При этом происходит местный разогрев контакта и кончик иглы сплавляется с полупроводником, что обеспечивает стабильность и механическую прочность контакта. Кроме этого часть материала иглы или часть входящих в нее примесей диффундирует в полупроводник, образуя под точечным контактом полусферическую микрообласть с р-проводимостыо. Поэтому точечные диоды, в отличие от плоскостных, обладают очень малой барьерной емкостью. У точечного диода р-п переход получается плавным. Примером может служить точечный диод, у которого базой служит пластина германия с электропроводностью типа п, а игла выполнена из бериллиевой бронзы. В данном случае роль акцептора выполняет диффундирующий в кристалл бериллий. [7]
Принципиальное устройство точечного диода показано на рис. 2 - 8, г. В хорошо отшлифованную пластину германия или кремния с п-проводимостью упирается металлическая игла. В месте соприкосновения иглы образуется выпрямляющий ( нелинейный) контакт. При изготовлении точечных диодов контакт металл - полупроводник подвергается электрической формовке, которая заключается в пропускании через диод мощных коротких импульсов тока. При этом происходит местный разогрев контакта и кончик иглы сплавляется с полупроводником, что обеспечивает стабильность и механическую прочность контакта. Кроме этого часть материала иглы или часть входящих в нее примесей диффундирует в полупроводник, образуя иод точечным контактом полусферическую микрообласть с р-проводимостыо. Поэтому точечные диоды, в отличие от плоскостных, обладают очень малой барьерной емкостью. У точечного диода р-п переход получается плавным. Примером может служить точечный диод, у которого базой служит пластина германия с электропроводностью типа п, а игла выполнена из бериллиевой бронзы. В данном случае роль акцептора выполняет диффундирующий в кристалл бериллий. [8]
Обычно на вырезанную из кристалла пластинку накладываются металлические электроды в виде фольги или металлических хорошо отшлифованных пластин. [9]
Практически процесс встречной диффузии осуществляется следующим образом. В предварительно отшлифованную пластину кремния / г-типа с таким удельным сопротивлением, которое необходимо для обеспечения требуемого пробивного коллекторного напряжения, проводится в две стадии глубокая диффузия фосфора. Во время первой стадии проводится диффузия из газовой фазы в двухзонной печи ( см. рис. 6 - 9) таким образом, чтобы поверхностная концентрация фосфора была близка к предельной, а глубина диффузионного слоя имела порядок 10 - 15 мк. Величина поверхностного сопротивления при этом составляет десятые доли ома на квадрат. Вторая стадия диффузии проводится в одно-зонной печи. [10]
Медленнее всего диффузия происходит в твердых телах. В одном из опытов гладко отшлифованные пластины свинца и золота положили одна на другую и сжали грузом. Через пять лет золото и свинец проникли друг в друга на 1 мм. [11]
Происходит диффузия и в твердых телах, но только очень медленно. В одном из опытов гладко отшлифованные пластины свинца и золота положили одну на другую и сжали грузом. Как показал опыт, при обычной комнатной температуре ( около 20 С) за 5 лет золото и свинец взаимно проникли друг в друга на расстояние порядка 1 мм. [12]
Точечный диод ( принципиальное устройство) показан на рис. 3.3, а. При его изготовлении в хорошо отшлифованную пластину германия или кремния n - типа упирают металлическую иглу. В месте соприкосновения иглы с полупроводником образуется выпрямляющий ( нелинейный) переход. [13]
![]() |
Прибор Абель-Пенского.| Прибор Мартенс-Пенского. [14] |
Температуру вспышки определяют следующим образом. Резервуар, - охлажденный до 20, ставят на нивелирный столик ( устроенный из хорошо отшлифованной пластины с тремя регулировочными винтами и снабженный уровнем) и осторожно наливают в него испытуемый продукт до уровня штифтика при помощи пипетки или стеклянной палочки. Нельзя наливать продукт по стенке цилиндра, потому что это, вызывая неправильное испарение продукта ( так как он все же остается в виде тонкого слоя на стенке), может дать ошибку в определении. [15]