Очищенная пластина

Cтраница 1

Очищенные пластины с выращенным на них эпитаксиаль-ным слоем 81 или без него подвергают термин, обработке, включающей окисление, диффузию примесей или ионное легирование, отжиг пластины ( в том случае, если примеси вводились ионным легированием), пиролитич. При реализации этих процессов осуществляется формирование активных областей и др. компонентов планарных структур. [1]

Схема трибометра ИЧ-2.| Зависимость н - max и И1 от степени шероховатости поверхности пластин. [2]

Наличие стандартного способа очистки, после которого поверхности считаются очищенными, а величина ц, очищенных пластин принимается за fimax - Стандартный метод очистки заключался в обезжиривании поверхности трихлорэтиленом и отжиге пластин при 500 С в течение 2 час. [3]

Кремниевые пластины, подвергаемые окислению, сначала очищаются с помощью детергента и водного раствора, растворителей с ксилолом, изопропиловым спиртом или другими средствами. Очищенные пластины высушиваются и загружаются в кварцевый держатель для пластин, который называется лодочкой. Через входной конец трубы ( источник) подается высокочистый кислород или смесь кислорода и азота. Поток сухого кислорода контролируется в кварцевой трубе и обеспечивает избыток кислорода для выращивания диоксида кремния на поверхности кремниевой пластины. [4]

Продесе нанесения проводящих соединений. [5]

На рис. 12.60 в качестве примера показан процесс металлизации алюминием с Применением фотолитографии. Очищенная пластина нагревается до температуры, близкой к температуре эвтектики AI-Si. Эта операция обеспечивает надежное соединение пленки с подложкой. [6]

Приготовление катода и анодов для выполнения работы проводят разными методами. Анодом служит очищенная пластина из осаждаемого металла. Раствор для электролиза должен содержать примерно 0 5 моля соли осажденного металла в 1000 г воды. Время электролиза 5 - 10 мин, ток 20 - 25 мА при размере пластин 10X15 мм. [7]

Перед нанесением новой лаковой пленки очищают поврежденную пластину от грязи и остатков старого лака. Старую лаковую изоляцию лучше всего удалять путем кипячения пластин стали магнитопровода в 10 % - ном растворе едкого натра ( каустической соды) или 20 % - ном растворе тринатрийфосфата с последующей промывкой очищенных пластин в горячей проточной воде. [8]

Наиболее распространенный метод, применяемый для парофазной эпитаксии в производстве светодиодов, - это система из галогена III группы и водорода ( водородного соединения) V группы. Технологический процесс состоит из двух циклов: сначала на подложку GaAs наращивается эпитакси-альная пленка GaAsP, а в конце проводится цикл травления для очистки графитовой / кварцевой камеры реактора от загрязнений. Во время цикла эпитаксиального выращивания предварительно очищенные пластины GaAs загружают в карусель, расположенную внутри кварцевой камеры реактора с резервуаром для жидкого Ga, через который пропускают безводный НС1 газ. В камеру реактора подают смеси гидридных газов и газообразного водорода ( например, 7 % AsH3 / H2 и 10 % РН3 / Н2) с добавлением млн 1 - концентраций металлоорганических добавок теллура и селена. Химические вещества в горячей зоне - верхней части камеры реактора - взаимодействуют между собой, а в холодной зоне - нижней части камеры - образуют пленку GaAsP на подложке и внутренней поверхности камеры реактора. [9]

Перед пайкой пластины твердого сплава очищают песком и шлифуют по опорным плоскостям шлифовальными кругами. Подготовленные для пайки пластины не должны иметь трещин, расслоений и посторонних включений. В корпусе инструмента фрезеруют паз по конфигурации пластины, куда устанавливают для припайки предварительно обезжиренную и очищенную пластину. Паз под пластину должен быть ровным, не иметь завалов, ступенек и заусенцев. Пластина должна быть хорошо пригнана к основной грани паза. [10]

Перед пайкой пластинки твердого сплава очищают песком и шлифуют по опорным плоскостям абразивными кругами. Подготовленные для пайки пластинки не должны иметь трещин, расслоений и посторонних включений. В корпусе инструмента фрезеруют паз по конфигурации пластинки, куда устанавливают для припайки предварительно обезжиренную и очищенную пластину. Паз под пластинку должен быть ровным, не иметь завалов, ступенек и заусенцев. Пластинка должна быть хорошо пригнана к основной грани паза и не качаться при нажатии. [11]

Кинетика отмыва пленки нефти скв. 20 ( а и скв. 380 ( б со. [12]

В условиях избирательного смачивания твердой поверхности нефтью и водой порфирины играют большую роль, определяя поведение нефти, содержащей их на межфазных границах. Это оп-четливо видно при изучении кинетики избирательного смачивания бензольными растворами асфальтенов твердой поверхности. В кювету с дистиллированной водой помещают полированную, тщательно очищенную пластину исследуемого материала. [13]

Страницы: 1