Cтраница 1
![]() |
Дырчатый искусственный диэлектрик с полостями в виде цилиндров ( а, сфер ( б и параллелепипедов ( в. [1] |
Диэлектрическая пластина с полостями различной формы ( рис. 5.12) представляет другой тип искусственного диэлектрика, в котором эффективная диэлектрическая проницаемость снижается по отношению к сплошному диэлектрику вследствие уменьшения занимаемого им объема. [2]
Диэлектрическая пластина 2, установленная на выходе из круглого волновода, которая аналогична пластине 1, играет роль деполяризатора. [3]
Диэлектрическая пластина, расположенная под углом q к оси лучевода, делит падающий на нее волновой пучок на два - прошедший и отраженный. [4]
Контролируемая диэлектрическая пластина 6 ( рис. 7.82) имеет на поверхности электроды, с помощью которых измеряется возникающий электрический сигнал. [5]
Бесконечная диэлектрическая пластина толщины а ( рис. 3.5) помещена во внешнее перпендикулярное к пластине однородное электрическое поле напря-женности ЕО. [6]
Хотя диэлектрическая пластина, разделяющая металлические полосковые проводники, не простирается на все пространство, полагают, что из-за большого отношения ширины полосок к расстоянию между ними все поверхностные заряды на каждой из двух полосок концентрируются на соседних внутренних поверхностях, в то время как электрическое поле концентрируется главным образом в диэлектрической пластине между полосками, и, таким образом, емкость, плотность поверхностных зарядов и распределение электрического поля, по существу, такие же, как если бы все пространство было равномерно заполнено диэлектрическим материалом. [7]
Пусть диэлектрическая пластина без потерь покрыта тонким слоем вещества, показатель преломления которого меньше единицы ( например, металлом вблизи плазменной частоты со или диэлектриком в окрестности узкого и ярко выраженного резонанса), а коэффициент экстинкции мал. [8]
Размещение диэлектрической пластины толщиной ЛХ0 / 2 между одним из источников и точкой наблюдения порождает изменение разности фаз интерферирующих электромагнитных волн. [9]
![]() |
Схема включения фотодиода для работы в фотодиодном. [10] |
На диэлектрическую пластину 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контактами 3 на концах. Полярность источника питания не играет роли. [11]
После вытягивания диэлектрической пластины емкость конденсатора, очевидно, уменьшается в е раз. Из формулы ( 1) видно, что энергия конденсатора при этом возрастает в е раз: W eW, - Чем объясняется увеличение электростатической энергии конденсатора. Так как источник напряжения отключен, то единственной причиной увеличения энергии может быть работа, совершаемая внешними силами при вытаскивании диэлектрической пл астины. [12]
После вытягивания диэлектрической пластины емкость конденсатора, очевидно, уменьшается в г раз. Чем объясняется увеличение электростатической энергии конденсатора. Так как источник напряжения отключен, то единственной причиной увеличения энергии может быть работа, совершаемая внешними силами при вытаскивании диэлектрической пластины. [13]
![]() |
Зависимость коэффициента возбуждения к волны. Ткв от параметра R / r. [14] |
При погружении диэлектрической пластины внутрь волновода меняется фазовая скорость распространяющейся по волноводу волны, что и приводит фазовому сдвигу. [15]