Приемная пьезоэлектрическая пластинка

Cтраница 1

Приемная пьезоэлектрическая пластинка из титаната бария или из сегнетовой соли включена на входе усилителя в цепь, управляющей сетки первого каскада. Чувствительность усилителя регулируется переменным сопротивлением R. Весь усилитель выполнен по реостатно-емко-стной схеме с необходимой полосой пропускания усиливающих частот для работы на трех диапазонах. [1]

Схема устройства ультразвукового дефектоскопа с разверткой электронного луча типа Б. [2]

Для этого приемная пьезоэлектрическая пластинка 7 должна быть механическим путем связана с соответствующим устройством, в котором имеется, например потенциометр ( или другое приспособление), включенное в цепь с источником постоянного тока. [3]

При отсутствии пороков внутри изделия эти колебания попадают на приемную пьезоэлектрическую пластинку. Приемная пластинка также начинает колебаться, в результате чего на ее поверхности возникают пьезоэлектрические заряды, создающие разность по-тенциалов на обкладках пла-стинки. [4]

Обнаружение дефекта с помощью звуковой тени.| Схема действия ультразвукового дефектоскопа ( теневой метод. а - дефект в детали не обнаружен. б - дефект обнаружен. [5]

При наличии дефекта ультразвуковые волны 4, посланные излучателем, отразятся от дефекта 6 и не попадут на приемную пьезоэлектрическую пластинку 5, благодаря чему за дефектом образуется звуковая тень. [6]

Блок-схема импульсного ультразвукового дефектоскопа с приемом отраженного сигнала.| График работы генератора импульсного ультра. [7]

Ультразвуковые колебания, пройдя слой: испытуемого материала, отражаются от противоположной грани и, возвращаясь обратно к первой грани, частично попадают на приемную пьезоэлектрическую пластинку 4 и заставляют ее колебаться; на поверхностях приемной пластинки вследствие этих колебаний возникает разность потенциалов. [8]

Графики падения контактной прозрачности. [9]

Чувствительность импульсных ультразвуковых дефектоскопов, работающих с приемом отраженных сигналов, зависит от способности усилительной части воспринимать и усиливать до определенной величины сигнал, полученный приемной пьезоэлектрической пластинкой от дефекта. [10]

При наличии дефекта 14 ультразвуковой - импульс при распространении в испытуемом-материале раньше достигнет его, чем противоположной грани материала и, отразившись, раньше попадает на приемную пьезоэлектрическую пластинку, чем донный импульс. Расстояния между импульсом, отраженным1 от дефекта, и двумя крайними импульсами на экране электронно-лучевой трубки могут служить для измерения глубины залегания дефекта в материале. [11]

Возможно преобразование ультразвукового изображения в оптически видимое. Один из способов основан на использовании приемной пьезоэлектрической пластинки, с одной стороны покрытой светочувствительным слоем; этот слой освещается равномерно ультрафиолетовым светом, однако количество выбиваемых фотоэлектронов модулируется зарядами на пластинке, образованными ультразвуковыми колебаниями. В результате на экране электронно-оптического преобразователя получается изображение просматриваемого участка. [12]

На указанном свойстве пьезоэлектрического эффекта и основана ультразвуковая дефектоскопия сварных швов и соединений. В данном случае пьезоэлектрические заряды, возникающие на приемной пьезоэлектрической пластинке, усиливаются посредством лампового усилителя и передаются на индикатор, представляющий собой электронно-лучевую трубку или другое устройство в виде прибора со стрелкой, позволяющего зафиксировать разность потенциалов пьезоэлектрических зарядов. [13]

Схема ультразвукового интроскопа. [14]

Электрические высокочастотные колебания генератора / преобразуются пьезоэлектрической пластинкой излучателя 2 в механические ультразвуковые колебания. Эти колебания, проходя через испытуемый образец, попадают на приемную пьезоэлектрическую пластинку ЭАП 3, Пьезоэлектрические заряды, возникающие в отдельных точках приемной пластинки, пропорциональны падающей на эти точки ультразвуковой энергии. Таким образом происходит трансформация ультразвуковых изображений в рельеф электрических потенциалов. Потенциальный рельеф считывается лучом с ЭАП построчно с помощью генераторов строчной 8 и кадровой 7 разверток. [15]

Страницы: 1 2