Cтраница 3
Из приведенного рассуждения вытекает важное следствие: в кристаллах, где прямая реакция сопровождается двойникованием продукта превращения, обратная перестройка решетки легче происходит с соблюдением принципа точно назад. По такой логике должна восстанавливаться и макроскопическая дисторсия. Иначе говоря, если превращение аустенит - мартенсит сопровождалось деформацией пластичности превращения, то при переходе из мартен-ситной в аустенитную область будет преобладать эффект памяти формы, пластичность превращения должна подавляться. В кристаллах, у которых мартенсит образуется без участия аккомодационных двойников или с необязательным их присутствием ( Со, FeMn), обратная реакция в поле напряжений может сопровождаться эффектом пластичности превращения. [31]
Пластичность превращения обусловлена тем, что в момент структурного фазового перехода кристаллич. Конкретный микромеханизм движения межфазной границы диктуется спецификой перехода. В последнем случае микрообъемы кристалла пре-терпевают собств. В отсутствие напряжений любой из кристаллографически эквивалентных вариантов ориентац. В нагруженном кристалле положение иное. Предпочтительными становятся те зародыши новой фазы, к-рые отвечают ориентац. Пластичность превращения в таких кристаллах определяется суперпозицией собств. Она тем больше, чем сильнее сказывается ориентирующее влияние приложенных напряжений, чем больше число кристаллографически эквивалентных вариантов превращения, чем значительнее собств. [32]