Cтраница 3
Границы областей памяти объемом по 1К каждая в запоминающем устройстве, показанном на Наращивание памяти фрагментами по 1К от ОК до 63К осуществляется с помощью переключателей банков. [31] |
Рассмотрим пример выполнения операции чтения. На адресные линии памяти АО-А15 поступает некоторый адрес. Логическая схема обработки адреса выбирает ячейку в одной из двух интегральных схем памяти. Подается сигнал на линию управления памятью Чтение. После буфери-рования этот сигнал по линии Выбор выхода поступает на соответствующий вход интегральных схем памяти. Из адресованной ячейки выбранного кристалла данные выводятся на внутреннюю шину данных платы памяти. Кроме того, под управлением сигнала Чтение внутренняя шина данных платы памяти соединяется с линиями DO - D7 шины данных микро - ЭВМ. Информация из адресованной ячейки платы памяти пересылается таким образом на шину данных микро - ЭВМ. [32]
Рассмотрим пример выполнения операции чтения. На адресные линии памяти АО-А15 поступает некоторый адрес. Логическая схема обработки адреса выбирает ячейку в одной из двух интегральных схем памяти. Подается сигнал на линию управления памятью Чтение. После буфери-рования этот сигнал по линии Выбор выхода поступает на соответствующий вход интегральных схем памяти. Из адресованной ячейки выбранного кристалла данные выводятся на внутреннюю шину данных платы памяти. Кроме того, под управлением сигнала Чтение внутренняя шина данных платы памяти соединяется с линиями DO - D7 шины данных микро - ЭВМ. Информация из адресованной ячейки платы памяти пересылается таким образом на шину данных микро - ЭВМ. [33]