Пленка - сплав
Cтраница 4
Поэтому чистый алюминий используются только для формирования тонких ( меньше 30 нм) зародышевых и смачивающих слоев, а для остальных целей применяются пленки сплавов алюминия, из которых особенно часто используются сплавы: А1 - % Si - 0 5 % Си - Al [ Si Cu ] и А1 - 0 5 % Си - А1 [ Си ] [12], Добавка кремния в алюминиевый сплав препятствует процессам диффузии и растворения атомов кремния из р-п-переходов в алюминии при его осаждении в контактные окна ИМС, а добавка меди способствует повышению стойкости к процессу электромиграции. [46]
 |
Процессы, происходящие при соударении ионов с поверхностью твердого тела. [47] |
Для аморфизации сплавов ме од напыления более предпочтителен, чем для чистых металлов, ибо упрощается аппаратура и некоторые операции, в связи с тем, что при получении пленок сплавов не требуется. Однако, как уже указывалось, метод вакуумного напыления имеет ограничения по сортам атомов компонентов сплава. Кроме того, при использовании этого метода трудно регулировать состав сплава, поэтому для массового производства он не пригоден. [48]
Как правило, CdS и ZnS во всем возможном диапазоне их относительных концентраций образуют твердый раствор, и независимо от метода осаждения при концентрации ZnS в пределах до 60 % пленки сплавов кристаллизуются в структуре вюртцита. Если концентрация ZnS превышает 80 %, то пленки имеют кубическую структуру сфалерита. В случае осаждения пленок методом вакуумного испарения при концентрации Zn ниже 60 % образуется кристаллическая решетка вюртцита с осью с, перпендикулярной плоскости подложки. [49]
Зависимость периодов решетки от молекулярной доли компонентов в данном случае удовлетворительно согласуется с правилом Вегарда: периоды линейно изменяются во всемо интервале концентраций от а - 5 65 А для GaAs до а 5 45 А для GaP. Пленки сплавов, легированные селеном, теллуром и оловом, обладали тг-проводимостыо. [50]
Тонкие пленки GaAs, предназначенные для изготовления солнечных элементов, получают в основном методами химического осаждения из паров металлорганических соединений [86-89] и химического осаждения из паровой фазы ( 90 - 94 ], хотя осуществляют также ионное распыление [95], молекулярно-лучевую [96, 97] и газовую [98] эпитаксии. Пленки сплавов на основе GaAs, таких, как GaAlAs, GaAsP и GalnAs, выращивают различными методами, в том числе химическим осаждением из паровой фазы [94], химическим осаждением из паров металлорганических соединений [99-101], а также методами молекулярно-лучевой [96, 97, 102, 103], газовой [103, 104] и жид-кофазной [103, 105] эпитаксии. [51]
Германий улучшает также свойства сплавов щелочных металлов с серебром, используемых в фотоэлементах. Пленка кремне-германиевого сплава, полученная путем восстановления водородом паров SiCl4 и GeCl4, обладает высоким удельным электрическим сопротивлением, которое почти не зависит от температуры. [52]
Германий улучшает также свойства сплавов щелочных металлов с серебром, используемых в фотоэлементах. Пленка кремпе-герма-ниевого сплава, полученная путем восстановления водородом паров SiCl. [53]
В пленке сплава линия 200 никеля уширена за счет нарушения кристаллической структуры. Нагревание этой пленки от 100 до 500 С в вакууме 10 - 5 мм рт. ст. в течение часа приводит к резкому уменьшению активности с одновременным сужением линии 200, что, вероятно, подтверждает зависимость активности от дефектности структуры. [54]
Увеличение плотности дислокаций объясняют различием коэффициентов теплового расширения Si и сапфира, вызывающим деформацию в кристаллизующейся пленке. В пленках сплава Ge, Sn и Ga на подложке Si возникали трещины и большое количество дефектов упаковки. Образование микротрещин, очевидно, связано также с различным тепловым расширением подложки и кристаллизующейся пленки. [55]
Основным преимуществом такой методики являются простота и возможность получения гетеропереходов с большой площадью. Ее недостаток состоит в образовании пленок сплава. Такие пленки обладают низким сопротивлением, очень напряжены и подвержены при значительной толщине растрескиванию. [56]
Предположение о возможности образования в системе Аи - Ni метаста-бильной упорядоченной структуры при низкотемпературном отпуске ( ниже 225) закаленных сплавов было высказано также в работе [21] по результатам исследования влияния температуры старения на модуль нормальной упругости, объем и удельное электросопротивление сплавов с 70 и 60 ат. Согласно [25] отжиг при 500 пленок сплава золота с 15 ат. Ni, полученных катодным распылением сплава на подложку с температурой ниже 400, приводит к упорядочению твердого раствора вначале с образованием сверхструктуры AuaNi, а затем, при увеличении длительности отжига при медленном повышении температуры, происходят еще более сложные фазовые превращения. При отжиге выше 600 происходит образование фазы, богатой никелем. [57]
 |
Эффект сверхструктур в реакциях разложения муравьиной кислоты и лара-орто-конверсии. [58] |
Образование новой фазы, как показано Фельтером и Альсдорфом [50], может приводить также к неожиданным, но вполне объяснимым эффектам. Было исследовано разложение муравьиной кислоты на пленках никель-медных сплавов с одновременным измерением электрического сопротивления пленок. На рис. 12 приведены результаты, полученные для пленок, которые прокаливались короткое время. Обе кривые имеют сходную форму с двумя максимумами. [59]
Например, было показано [87], что пленки сплавов группы хромеля ( включающие никель, хром и железо) характеризуются зависимостью усложненного сопротивления от времени, когда термообработка происходит на воздухе. Вначале сопротивление пленки повышается со временем вследствие окисления железа. Однако если окисление этого компонента завершается, более важное значение приобретает влияние отжига дефектов, в результате чего сопротивление со временем начинает уменьшаться. Далее по мере удаления основной массы дефектов сопротивление снова увеличивается; на дальнейшее изменение сопротивления преобладающее влияние оказывает окисление составляющих хрома и никеля. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5