Пленка - тантал
Cтраница 2
 |
Пленочные конденсаторы. [16] |
Как видно из таблицы, наибольшей диэлектрической проницаемостью обладает пятиокись тантала, которую получают анодировайием пленки тантала, нанесенной на диэлектрическую подложку. При этом пленка тантала с образованным на ее поверхности окислом выполняет роль и нижней обкладки, и диэлектрика. Как было показано, тантал пригоден для выполнения пленочных резисторов. При использовании тантала для изготовления резисторов и конденсаторов резистор и нижнюю обкладку конденсатора получают за одну операцию. [17]
 |
Тан-таловый тонкопленочный резистор. [18] |
При сочетании анодного травления с использованием фоторезиста для получения требуемого рисунка используется фоторезист, наносимый на пленку тантала. Однако после проявления фоторезиста вместо раствора травителя применяется анодное травление в электролите для полного окисления всего тантала на незащищенных местах. При этом требуется, чтобы пленка тантала имела минимальный разброс по толщине, так как в противном случае возникает опасность появления островков неокисленного тантала. [19]
Величина емкости конденсаторов с объемно-пористым анодом может быть рассчитана по формуле ( 77), если под величиной 5 понимать полную эффективную площадь пористого анода, а под величиной d - толщину оксидированной пленки тантала. [20]
 |
Свойства тонких пленок тантала и нитрида тантала. [21] |
Малая скорость осаждения способствует проявлению геттерных свойств тантала, в результате чего пленки содержат примеси продуктов взаимодействия Та с компонентами газовой среды в рабочей камере. Пленки тантала малой плотности представляют интерес для применения в качестве резистивных. [22]
Малая скорость осаждения способствует проявлению геттерных свойств тантала, в результате чего пленки содержат примеси продуктов взаимодействия Та с компонентами газовой среды в рабочей камере. Пленки тантала малой плотности представляют интерес для применения в качестве резистивных. Однако надо помнить, что пленки тантала малой плотности интенсивно взаимодействуют с кислородом; это приводит к существенной временной нестабильности р и ар. Кроме того, при осаждении этих пленок свойства их получаются невоспроизводимыми. [23]
Эти пленки по соотношению общей толщины к толщине проводящего слоя подобны двухфазным системам. Примером является пленка тантала с малой плотностью. Отрицательной чертой таких пленок является их быстрая окис-ляемость вследствие того, что они имеют большую поверхность. Вместе с Tt - м, при надежной защите от окисления такие пленки имеют высокое удельное сопротивление при низком температурном коэффициенте и приемлемой стабильности. [24]
Как видно из таблицы, наибольшей диэлектрической проницаемостью обладает пятиокись тантала, которую получают анодировайием пленки тантала, нанесенной на диэлектрическую подложку. При этом пленка тантала с образованным на ее поверхности окислом выполняет роль и нижней обкладки, и диэлектрика. Как было показано, тантал пригоден для выполнения пленочных резисторов. При использовании тантала для изготовления резисторов и конденсаторов резистор и нижнюю обкладку конденсатора получают за одну операцию. [25]
Универсальность применения тантала объясняется его высоким удельным сопротивлением, возможностью контролируемого изменения электрических параметров путем легирования и окисления, хорошими защитными свойствами его окисных пленок, используемыми в качестве диэлектрика конденсаторов и слоев защиты при различных технологических методах формирования рисунка микросхем. Термообработанные или анодированные пленки тантала характеризуются высокой стабильностью электрических свойств и малым значением ТКС. [26]
 |
Принцип построения ФАР. [27] |
Иногда в особую группу СВЧ ИМС выделяют микросхемы, изготовленные по так называемой танталовой технологии на диэлектрической подложке. Основой всей структуры здесь является пленка тантала, служащая проводником. Диэлектриком является окись тантала, обладающая довольно высокими диэлектрическими свойствами. [28]
 |
Поперечный разрез СВЧ микросхемы, выполненной методом прямого травления толстых пленок. [29] |
Для создания надежной конденсаторной структуры с малым значением удельной емкости применяют двухслойный диэлектрик. Первый слой пятиокиси тантала формируют анодированием пленки тантала или нитрида тантала. Толщина полученной пленки Та2О5 относительно мала, а удельная емкость ее слишком велика для создания конденсаторов с малыми номинальными значениями. Нанося на основной слой пятиокиси тантала с большим значением диэлектрической постоянной ( е - - 22 пленку окиси кремния с малым значением диэлектрической постоянной ( е 6), легко получить малые удельные емкости в двухслойной структуре. Наличие двух слоев различных диэлектриков в конденсаторной структуре повышает надежность пленочных емкостных элементов. Верхний электрод-золото с подслоем хрома 4-получен термическим испарением в вакууме. Нижним электродом является слой нитрида тантала 3, сопротивление которого достаточно велико. [30]
Страницы: 1 2 3 4