Cтраница 1
Пленки углерода, полученные попеременным с конденсацией облучением ионами, как правило, аморфны, но их структура и свойства существенно зависят от условия введения ионов. Как видно, удельное сопротивление пленок ( р) немонотонно изменяется с ростом энергии ионного облучения, и его минимальное и максимальное значение отличаются на несколько порядков. [1]
Пленка углерода образуется вследствие частичной карбонизации остаточной смазки, применяемой при протяжке трубы, или же из смолистых и исковых наполнителей, используемых при холодном сгибании труб. Стекловидный о ксид меди образуется в результате - отклонения от нормального режима отжига при изготовлении трубы. При отсутствии углерода или стекловидного Си2О питтинг в жесткой воде возникает редко. [2]
Проводящий слой представляет собой пленку углерода или сплава металлов с высоким удельным сопротивлением. [3]
Интересны также работы по исследованию пленок пиролити-ческого углерода: обзор [86] по изучению термического разложения метана; работа [87], посвященная процессу образования углерода из паров, диффундирующих из графитовой камеры Кнудсена; патенты [88], [89] по производству углеродных пленок, содержащих бор. Исследуя процесс образования и свойства пленки, полученной при пиролизе хлористого этила, авторы [90] натолкнулись на интересное отклонение от закона Ома, а именно электропроводность пленки заметно менялась в зависимости от прикладываемого напряжения, тогда как в [83] при работе с пленками, полученными из углеводородов, не было обнаружено такого отклонения. Но все же этот вопрос требует дальнейших исследований. [4]
Углеродистые - сопротивление которых обеспечивается пленкой углерода на изоляционном основании. [5]
Для осаждения на основаниях однородной по толщине пленки углерода рабочая камера периодически поворачивается вокруг своей оси. [6]
Показана возможность получения газонепроницаемых графитовых изделий при покрытии их пленкой углерода при термическом разложении природного газа. [7]
Резисторы типа ВС, МЛТ и УЛМ. [8] |
В резисторах типа ВС и УЛМ токопроводящий слой образован пленкой углерода; в резисторах МЛТ - тонким слоем металла, нанесенным на керамику методом испарения в вакууме. [9]
Спектр деформации решетки золотых пленок, осажденных с большой и малой скоростью. [10] |
Тройда и Нагашима [73] провели анализ распределения дефектов в пленках углерода по методу Вэнда. Они определили величины пиковых энергий, зависящие от толщины пленок. Прежде чем достигалось удельное сопротивление, близкое к объемной величине, пленки подвергали отжигу при температуре примерно 900 С. [11]
На некоторых фотографиях кристаллы непрозрачны вследствие наличия на их поверхности пленки углерода, испарившегося с графитового блока. В какой форме осаждается углерод на окиси бериллия - не ясно, однако химическое взаимодействие между углеродом и ВеО с образованием карбида Ве2С исключено, так как эта реакция происходит лишь при температурах выше 1950 С. [12]
Как правило, вещество покрывают тонкой ( 10 нм) пленкой углерода или пластического материала, такого, как коллодий или формвар. [13]
С целью определения этой функции для сажи был проведен эксперимент на пленках углерода, осажденных в вакууме на кварцевую подложку. [14]
Чернение никелевых деталей окисью. [15] |