Полупроводящая пленка
Cтраница 1
Полупроводящие пленки, полученные методом восстановления компонентов в поверхностном слое стекол, характеризуются равномерностью электрического сопротивления по поверхности, устойчивостью к действию высоких напряжений: их электросопротивление практически не изменяется при хранении в комнатных условиях и при нагревании на воздухе до 200 С. Эти пленки имеют отрицательный температурный коэффициент электросопротивления в пределах от - 0 3 до - 1 % на 1 С; энергия активации равна 0 1 - 0 5 эв при 150 - 250 С. Термоэлектродвижущая сила висмутовых пленок изменяется от 2 до 15 мкв град - -, при этом наблюдается электронный характер проводимости тока. Пленки, полученные водородной обработкой таких стекол в течение 4 - 6 час. С, непрозрачны в видимой части спектра для волн длиной от 280 до 750 ммк. [1]
Полупроводящие пленки, полученные методом восстановления компонентов в поверхностном слое стекол, характеризуются равномерностью электрического сопротивления по поверхности, устойчивостью к действию высоких напряжений: их электросопротивление практически не изменяется при хранении в комнатных условиях и при нагревании на воздухе до 200 С. Эти пленки имеют отрицательный температурный коэффициент электросопротивления в пределах от - 0 3 до - 1 % на 1 С; энергия активации равна 0 1 - 0 5 эв при 150 - 250 С. Термоэлектродвижущая сила висмутовых пленок изменяется от 2 до. Пленки, полученные водородной обработкой таких стекол в течение 4 - 6 час. С, непрозрачны в видимой части спектра для волн длиной от 280 до 750 ммк. [2]
Такие лаки образуют полупроводящую пленку, обладающую поверхностной и объемной электропроводностями. [3]
Опыты проводятся на полупроводящих пленках или тонких пластинках монокристаллов CdS и CdSe с примесью ионов меди или без примеси. Акцепторный уровень, обусловленный ионами меди, находится на большом удалении как от заполненной зоны, так и от зоны проводимости. В этих условиях красная граница примесной фотопроводимости лежит в области видимого света, в то время как у большинства других полупроводников она расположена в инфракрасной области. Малый тем-новой ток и большой световой выход позволяют проводить опыты без модуляции светового потока. [4]
В этом случае от края электрода вдоль полупроводящей пленки устанавливается некоторое падение потенциала и край электрода как бы отодвигается на край полупроводящей пленки. Напряженность поля у краев полупроводящей пленки будет значительно ослаблена вследствие падения напряжения вдоль пленки, что иллюстрируется на рис. 2 - 8 картиной электрического поля около краев свинцовой оболочки кабеля. Из приведенной картины поля видно, что наличие полупроводящего слоя на поверхности изоляции разгружает поле у краев свинцовой оболочки. Этот способ регулирования электрического поля применяют также в электрических машинах высокого напряжения у места выхода проводников из паза статора. Более однородное распределение напряжения получается и у подвесных изоляторов при покрытии их полупроводящей глазурью. [5]
Этот факт свидетельствует об образовании на поверхности полупроводящей пленки. [6]
По мере повышения напряжения ( тока) эти полупроводящие пленки пробиваются и приэлектродное сопротивление резко падает. На графитовом электроде окисной пленки нет и поэтому отсутствует резкая зависимость приэлектродного сопротивления от тока и показания моста и при токе 0 5 а примерно совпадают. [7]
В этом случае от края электрода вдоль полупроводящей пленки устанавливается некоторое падение потенциала и край электрода как бы отодвигается на край полупроводящей пленки. Напряженность поля у краев полупроводящей пленки будет значительно ослаблена вследствие падения напряжения вдоль пленки, что иллюстрируется на рис. 2 - 8 картиной электрического поля около краев свинцовой оболочки кабеля. Из приведенной картины поля видно, что наличие полупроводящего слоя на поверхности изоляции разгружает поле у краев свинцовой оболочки. Этот способ регулирования электрического поля применяют также в электрических машинах высокого напряжения у места выхода проводников из паза статора. Более однородное распределение напряжения получается и у подвесных изоляторов при покрытии их полупроводящей глазурью. [8]
 |
Закон уменьшения анодного напряжения в зависимости от частоты при сохранении постоянства теплового режима.| Распределение контурного тока между внешней и выходной емкостями лампы. [9] |
Значительная часть потерь в конструкции металлокерамических ламп приходится на вакуумные спаи металлических выводов с керамикой, так как в местах спая образуются полупроводящие пленки окислов, повышающие переходные сопротивления в месте соединения. [10]
 |
Закон уменьшения анодного напряжения в зависимости от частоты при сохранении постоянства теплового режима.| Распределение контурного тока между внешней и выходной емкостями лампы. [11] |
В настоящее время в качестве материала керамических изоляторов стал внедряться алюмин-оксид, обладающий повышенной механической прочностью, что позволяет производить соединение металла с керамикой под давлением без термических процессов, ведущих к появлению полупроводящих пленок. Это приводит к резкому снижению потерь в конструкции лампы, повышению допустимой мощности рассеяния на аноде и возрастанию высокочастотного предела ламп. [12]
 |
Зависимости диэлектрической проницаемости воздуха от температуры при различной относительной влажности. [13] |
При резких понижениях температуры возможна конденсация влаги на поверхности деталей контура. Образующаяся на них полупроводящая пленка изменяет емкости деталей и увеличивает потери. [14]
Для перераспределения потенциалов на поверхности изоляции в обмотках машин напряжением от 10 кв и выше ( чтобы уменьшить коронирование обмоток) применяются специальные сажевые покровные лаки. Такие лаки образуют полупроводящую пленку, обладающую поверхностной и объемной электропроводностями. [15]
Страницы: 1 2