Cтраница 1
Тончайшие защитные пленки на поверхности разных материалов ( металлов, керамики и др.) могут быть получены осаждением из газовой фазы при облучении этилена потоком электронов. [1]
В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 - 1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 1010 - 1014 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [2]
В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 - 1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 1010 - 1014 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по пленарной технологии. [3]
На большинстве металлов при соприкосновении с воздухом даже при комнатной температуре самопроизвольно образуется невидимая тончайшая защитная пленка окисной природы. Такая пленка часто в значительной мере изменяет химическое поведение самого металла. Так, например, поверхность железа, полученная в вакууме, не взаимодействует с концентрированной азотной кислотой, тогда как поверхность железа, приведенная в соприкосновение с воздухом, пассивируется в той же кислоте. [4]
Концентрированная азотная кислота пассивирует алюминий, вызывая появление на активных участках его поверхности тончайшей защитной пленки. [5]
Если повышать электродный потенциал нержавеющей стали в растворе серной кислоты, то плотность тока увеличивается до максимума, причем металл находится в активном состоянии ( 3) и растворяется, а плотность тока характеризует скорость растворения. Пассивацию связывают с образованием тончайшей защитной пленки, которая состоит в основном из оксида и гидроксида хрома. [6]
Величина продувки котлов при три-лонировании оставалась на том же уровне, что и при фосфатировании. Образцы труб, вырезанные после проведения экспериментальной работы на внутренней поверхности, имели только тончайшую защитную пленку черного цвета; признаков накипеобразования и коррозии не обнаружено. [7]
Его используют также для предохранения от порчи цитрусовых плодов, например, апельсинов, путем нанесения на поверхность плода тончайшей защитной пленки. [8]
Его используют также для предохранения от порчи цитрусовых плодов, например, апельсинов, путем нанесения на поверхность плода тончайшей защитной пленки. [9]
При больших содержаниях кремния переходные металлы образуют металлоподобные соединения со сноцпфпч. Силициды Mo5Si3 ( фазы Копотного) и особенно McSia чрезвычайно стоики но отношению к окислению при темп - pax до 1000 - 1700 благодаря образованию на их поверхности тончайшей защитной пленки стекловидной кремнекислоты. Слои таких силицидов создают путем диффузионного насыщения на поверхности деталей из молибдена и других тугоплавких металлов, работающих при высоких темп-рах. Стержни из дисилицида молибдена применяются как нагревах, элементы в высокотемпературных электрич. [10]