Осажденная пленка

Cтраница 1

Осажденные пленки WSix являются аморфными, но в процессе отжига проходят ряд фазовых превращений: вначале в гексагональную фазу, а потом в тетрагональную фазу Переход из аморфного состояния в гексагональную фазу начинается при 7450 С и сопровождается очень большим уменьшением объема пленок силицида вольфрама, а следовательно, и возникновением больших ( 10ю дин / см2) растягивающих механических напряжений в пленках, которые вызывают их растрескивание и обрывы, особенно около углов ступенек топологического рельефа. [1]

Зависимость е и. пр от величины запрещенной зоны диэлектрических окислов. а - изменение е. б - изменение ЯП1. [2]

Иногда осажденные пленки окислов получаются пористыми, что связано с избирательной зависимостью параметров осаждения отдельных окислов от состояния поверхности подложки. [3]

Толщина осажденной пленки измеряется с помощью интерференционного микроскопа, а полученные значения толщин делятся на соответствующую длительность осаждения. [4]

В осажденных пленках внутренние напряжения изучаются многими методами. [5]

Процесс размягчения осажденных пленок происходит при температурах ниже 1000 С. [6]

Продолжительный отжиг осажденных пленок при температуре, превышающей 400 С, приводит к существенному укрупнению зерен. Кроме того, пленки CdS и CdSe рекристаллизуются [95] при нанесении на их поверхность тонких слоев Си или Ag и прогреве при температуре, превышающей 350 С. [7]

Для удаления растворителя осажденные пленки фоторезистов подвергаются сушке. [8]

Гэйнс [1] различает активные и неактивные осажденные пленки. В пленках первого типа слой воды, первоначально находящийся между пленкой и пластинкой, быстро выдавливается, тогда как в пленках второго типа вода остается. Поэтому активные пленки прочно держатся на пластинке, а неактивные нередко могут переноситься назад на поверхность воды. [9]

Скорость травления пиролитичеоки осажденных пленок лежит в пределах 150 - 600 А / мин. [10]

Для получения больших емкостей используют осажденную пленку тантала с последующим анодированием. Пленки окисла имеют высокую стойкость к химическому воздействию и истиранию. [11]

Осаждение тонких пленок маску. [12]

Точное воспроизведение рисунка маски в осажденной пленке зависит от следующих факторов: 1) длина свободного пробега частиц испаряющегося вещества должна быть сравнительно большой по отношению к расстоянию маска-подложка для того, чтобы избежать хаотической конденсации испаряющегося вещества, обусловленной столкновениями между молекулами, 2) коэффициент сцепления отражаемого потока частиц вещества с подложкой должен через быть близким к единице, во избежание вторичного испарения и осаждения, так как при этом вещество проникает под маску. При испарении в высоком вакууме и при достаточно низкой температуре подложки, когда маска находится в непосредственном контакте с подложкой, эффект рассеивания обычно не заметен. В случае катодного распыления при повышенном давлении в вакуумной системе иногда трудно создать четкие линии рисунка в пленке из-за отражения и вторичного осаждения конденсирующегося вещества. [13]

Наиболее сильно анизотропия проявляется на осажденных пленках графита и углерода, где, как будет показано ниже, отношение величин различных свойств может составлять 1000 и даже более. В тех случаях, когда необходима изотропность свойств, как например для графита марки МГ, производится многократное измельчение и отбор нужной фракции уже графитированного материала с последующими пропиткой и дополнительной графитиза-цией. [14]

Диаграмма, показывающая различные виды энергии, использующиеся в атомарной теории зародышеобразования н роста пленок. [15]

Страницы: 1 2 3 4