Подобная пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если сложить темное прошлое со светлым будущим, получится серое настоящее. Законы Мерфи (еще...)

Подобная пленка

Cтраница 4


Действие притира, однако, не только механическое. Подобные пленки легко снимаются с мест контакта притира и изделия. Обнаженные места вновь покрываются пленками; таким образом, поверхность легко выравнивается.  [46]

47 Основные типы. [47]

На поверхности таких металлов, как Ni, Cr, Си, пленка очень тонка н не изменяет внешнего вида металла. Толщина подобных пленок 1 - 1 5 нм и может быть обнаружена только при помощи специальных оптических приборов.  [48]

На поверхности таких металлов, как Ni, Cr, Си, пленка очень тонка и не изменяет внешнего вида металла. Толщина подобных пленок имеет порядок 10 - 15 А и может быть обнаружена только при помощи специальных оптических приборов. При толщине пленок 50 - 100 и более ангстрем внешний вид металла изменяется - он теряет свой металлический блеск, тускнеет. Толщина оксидных пленок у Mg, Al, Pb достигает 200 - 400 А. В этом случае металл приобретает цвет, свойственный его оксиду.  [49]

Если такие частицы плотно упаковываются, то будут присутствовать лишь субмикропоры, причем остающиеся поры заполняются прочно удерживаемыми молекулами воды. Попытки упрочить подобные пленки посредством включения небольших количеств водорастворимых органических соединений ( полимеров) обычно ведут лишь к тому, что появляется фактор, мешающий образованию плотной упаковки частиц и способствующий ослаблению получаемой пленки.  [50]

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые ( металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния ( IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром - золото, титан - золото, молибден - золото и некоторые другие.  [51]

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые ( металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния ( IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром - золото, титан - золото, молибден - золото и некоторые другие.  [52]

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые ( металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния ( IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром - золото, титан - золото, молибден - золото и некоторые другие.  [53]

Анализ электронограмм от подобной пленки показал, что параллельно поверхности слюды располагаются октаэдрические плоскости ( 111) железа. Приведенная на рис. 4 схема электронограммы иллюстрирует сказанное.  [54]

Скорость коррозионных процессов ( как электрохимических, так и других) в значительной степени зависит от образования на поверхности металла окисных и других пленок. Напомним, что образование подобных пленок играет существенную роль в явлении пассивации металлов, сущность которого заключается в том, что некоторые металлы теряют свою активность после, например, обработки концентрированной азотной кислотой или после анодного окисления в соответствующих условиях.  [55]

56 Зависимость точности воспроизведения удельного поверхностного сопротивления Ар / р монометаллических систем от удельного поверхностного сопротивления р. [56]

В частности, существует рассеяние электронов проводимости на поверхности пленки ( эффект Фукса-Зондхеймера), обусловливающее увеличение поверхностного сопротивления при сохранении низкого температурного коэффициента. Эффект проявляется при малых толщинах пленки, подобные пленки легко агломерируются и поэтому имеют ограниченную механическую целостность.  [57]

58 Зависимость плотности углеродной пленки от температуры ее осажде. [58]

Упругие константы и коэффициенты термического расширения также различны в разных направлениях. Анизотропия оптических свойств настолько велика, что подобная пленка является очень хорошим деполяризатором отраженного света.  [59]

60 Зависимость логарифма критической толщины от логарифма радиуса пленок. [60]



Страницы:      1    2    3    4    5