Cтраница 1
Первая пленка состоит из молекул газа, а вторая из молекул или агрегатов жидкости. [1]
![]() |
Схема процесса абсорбции. [2] |
Первая пленка образуется из молекул газа, а вторая - - из молекул ( или агрегатов молекул) жидкости. [3]
![]() |
Схема образования мыльных пленок в процессе що. точной рафинации. [4] |
После отрыва первой пленки на обнажившейся поверхности1 капли щелочи образуется новая мыльная пленка, с которой происходит то же, что и с первой. [5]
Стеклышко очень легко очистить, приготовив па нем первую пленку, которая при отклеивании захватывает с собой всю пыль. [6]
Если объем раствора 600 мл, то уже после первой пленки для каждой последующей время проявления нужно увеличивать на 10 %, причем всего в этом объеме можно проявить 6 пленок. Так, если для проявления первой пленки требовалось 10 мин, то шестую нужно проявлять уже 16 мин, а вторую-11 мин. Если постоянно добавлять подкрепитель, то длительность обработки последующих пленок увеличивать не нужно. При малых объемах проявителя ( до 1 л) подкрепитель нормальной концентрации добавляют после обработки каждой пленки в количестве 9 мл. [7]
![]() |
Разделение методом ХТС двух тритированных по Вильцбаху стероидов. [8] |
Поскольку р-излучение радиоуглерода обладает слабой энергией и не проникает через первую пленку, на второй пленке видны пятна, которые следует отнести к жесткому излучению радиофосфора. [9]
Поскольку ( 3-излучение радиоуглерода обладает слабой энергией и не проникает через первую пленку, на второй пленке видны пятна, которые следует отнести к жесткому излучению радиофосфора. [11]
В описываемых экспериментах ( окисление образцов в открытой печи) прорастания при возникновении первой пленки окиси не отмечено. [13]
![]() |
Схема, поясняющая эффект Джозефсона. [14] |
Пленки, толщина которых составляет несколько тысяч ангстрем, наносят путем осаждения в вакууме порядка 10 - 6 мм рт. ст. После нанесения первой пленки ее в течение нескольких минут подвергают воздействию атмосферного воздуха для образования на ней изолирующего оксидного слоя толщиной 10 - 20 А. Затем поверх этого слоя напыляют вторую пленку. Связь между сверхпроводниками осуществляется в результате квантовомеханического туннельного перехода электронных пар через изолирующий барьер. [15]