Задержка - распространение
Cтраница 3
На рис. 1.12 приведены зависимости задержки распространения от температуры для элементов серии К155 [29] при следующих данных: Сн 25 пФ, п10, Ср 5 пФ ( к обоим входам расширения по ИЛИ), Ек5 В. [31]
Предположим, что надо найти увеличение задержки распространения для 50-омной микрополосковой линии на стеклотекстолитовой плате. Допустим, что ширина линии выбрана 62 5 - 10 - 3 см; тогда толщина диэлектрика должна быть 37 5 - 10 - 3 см, чтобы 2050 Ом. [32]
 |
Схема ( а и цоколевка ( 5 микросхемы CD404SA. [33] |
При UHIlC 15 В наибольшее время задержки распространения доставляет 65 не, время перехода от Z-состояния к высокому выходному уровню 40 не. При Uh пс б5 В все переходные процессы затягиваются в 3 раза. [34]
Как правило, при уменьшении времени задержки распространения ( увеличении быстродействия) возрастает потребляемая мощность и связанная с ней генерация тепла. Сверхбыстродействующие ТТЛ ИС с диодами Шоттки ( ТТЛШ ИС) потребляют около 19 мВт на логический элемент ( ключ), тогда как менее быстродействующие КМОП ИС потребляют всего лишь 0 01 мВт на ячейку. Многие разработчики считают, что в микромощных ТТЛШ И С идеально сочетаются быстродействие и малая потребляемая мощность. Типичный микромощный ТТЛШ-вентиль потребляет 2 мВт и характеризуется временем задержки распространения чуть меньше 10 не. Микромощные ТТЛ-схемы потребляют в 5 раз меньшую мощность по сравнению со стандартными ТТЛ-схемами, но практически не отличаются от них по быстродействию. [35]
Последовательность вычислений при определении составляющих градиента задержки распространения в пространстве параметров компонентов по описанному способу сводится к следующему. [36]
 |
Пример для сравнения методов анализа чувствитель. [37] |
Представляет интерес сравнение результатов расчета чувствительности задержки распространения к изменению управляемых параметров, полученных методом приращений, прямым и вариационным методами анализа чувствительности для схем различной сложности. [38]
 |
Принципиальная электрическая схема базового логического элемента микросхем серий 113 и 114 ( а и его разновидности ( б. [39] |
Основные электрические параметры микросхем: время задержки распространения сигнала-400 - 500 не, рассеиваемая мощность - менее 2 мВт, коэффициент нагрузки-4 - - 50, напряжение питания 4В 10 %; помехоустойчивость - 0 15 - г - 0 7 В. [40]
Получение измерительной информации связано с определением задержки распространения зондирующих импульсов. Передача импульсов в виде пакетов, заполненных колебаниями несущей частоты, дает энергетический выигрыш и обеспечивает высокую помехоустойчивость и информативность измерительного канала. [41]
Двоичный импульсный счетчик, в котором устранена задержка распространения переноса. [42]
Наибольшее быстродействие современных логических интегральных схем характеризуется задержкой распространения порядка единиц наносекунд. [43]
Скорость выполнения операции велика, поскольку среднее время задержки распространения от входов операндов до выхода переноса и суммы равно 4 5 не. Время задержки от входа переноса до выхода переноса составляет 2 2 не. [44]
V при интегрировании (5.10) и вычисляются коэффициенты влияния задержки распространения, определяемой строго на заданном уровне. Однако при применении этого метода возрастает порядок системы линейных дифференциальных уравнений. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5