Поглощающая пленка
Cтраница 3
Более сложным по устройству является приемник Голея ( см. рис. 3.5 6), состоящий из камеры /, наполненной газом. С одной стороны камера закрыта поглощающей пленкой 2, на которую падает ИК-излучение; под воздействием ИК-излучения пленка нагревается, деформируется и вызывает изменение давления газа. [31]
Селективность резонаторов, содержащих помещаемую между зеркалами поглощающую пленку, обусловлена эффектом подавления тех продольных мод, пучности стоячих волн которых внутри резонатора совпадают с положением пленки. Этот эффект иллюстрирует рис. 2.2.10, где показана структура поля стоячих волн внутри резонатора. Пунктир соответствует подавляемой моде, непрерывные кривые характеризуют структуру стоячей селектируемой моды. Узел ее поля совпадает с пленкой, и в отличие от других продольных мод она будет испытывать минимальные потери. [32]
 |
Макеты двухканального развязанного делителя Н - тракта ( а и радиального делнтеля на 11 каналов П - волноводного тракта ( б. [33] |
Все описанные схемы делителей удовлетворяют общим требованиям, предъявляемым к многоканальным делителям СВЧ-мощ-кости. Наиболее компактные из двухканальных - ответвители с поглощающей пленкой, из многоканальных делителей самые малогабаритные на основе радиальной линии. [34]
 |
Структурная схема метода реактивного зонда. [35] |
Принцип действия прибора заключается в следующем. Энергия СВЧ падает на экран 2 и частично поглощается металлической поглощающей пленкой толщиной в несколько сотен ангстрем. Появившийся в результате этого тепловой рельеф, адекватный пространственному распределению СВЧ-поля, воздействует на люминесцентный экран таким образом, что в тех местах экрана, где температура становится выше определенной, происходит гашение люминесценции. [36]
В разделе I было показано, что спектр НПВО очень тонкой поглощающей пленки практически совпадает со спектром поглощения этой пленки. Это обстоятельство было использовано в [36], где применялся непоглощающий в видимой области раствор ( 0 1 М Na2SO4), так что поглощение могло происходить только в пленке золота. Такое поглощение действительно наблюдалось, и этот факт явился однозначным экспериментальным доказательством электромодуляции оптических констант металла. Было показано, что поглощение растет со сдвигом потенциала в положительную сторону, а изменения поглощения АЛ пропорциональны заряду двойного слоя и не зависят от того, каким образом этот заряд распределяется в пленке. Теория электромодуляции оптических констант металла, предложенная в [36], основывается на предположении о частотном сдвиге всего спектра поглощения металла при изменении заряда пленки. Этот сдвиг происходит вследствие изменения плазменной частоты, зависящей от концентрации N0 свободных электронов. В соответствии с ( 6) и ( 83), ( 84) снижение N0 должно понижать коэффициент поглощения а. Существенно, что при изменениях N0 сдвигается также энергия Ферми, а следовательно, и энергии всех переходов из других зон нг этот уровень. Этим, в частности, объясняется появление в спектре AR / R золотой пленки пика при - 2 5 эв, отвечающего переходам электронов из Sd-зоны на уровень Ферми [ 50, ПО ]; это объяснение было уточнено в [47], где появление пика при 2 5 эв объясняется переходами из поверхностных, а не объемных, 5 -уровней. В [114], однако, высказывается мнение, что ни модуляция уровня Ферми, ни модуляция энергии межзонных переходов в металле не имеют места, а ЭО вызвано влиянием поля на внешний слой ( хвост) электронной плазмы, туннелирующей за пределы решетки металла. [37]
Для вычисления трех параметров ( d, HZ, kz) поглощающей пленки одной пары эллипсометрических углов г), А становится недостаточно. [38]
 |
Эффект смещения поля ферритами. [39] |
На практике лучшее согласование сопротивлений получается при меньшей высоте феррита. Нулевое электрическое поле теперь сохраняется лишь в области около вертикального центра пластины, поэтому поглощающая пленка помещается именно в этой области. Кривые, изображенные на рис. 8.25, а и б, дают характеристики вентиля на частоте 24 Ггц. Устройства были промоделированы [461] для рабочих частот 4, б и 11 Ггц. [40]
Анализу пленочных покрытий посвящены работы [219, 232, 235], в которых предлагаются как расчетные, так и экспериментальные методы определения их параметров. Эллипсометрия наиболее успешно применяется при анализе пленочных покрытий ( включая окисные слои) металлов, полупроводников, поглощающих пленок, нанесенных на подложки из поглощающих и диэлектрических материалов при толщинах пленок порядка 30 нм и более. Для пленок с толщинами меньше 30 нм интерпретация эллипсометрических данных при помощи п и d представляет определенную трудность, но тем не менее в сочетании со спектральными методами анализа можно получить количественную информацию о составе и структуре тонких слоев. [41]
Обычно на практике обеспечить достаточно малое отражение в-необходимой полосе частот оказывается очень трудно. Поэтому для устранения самовозбуждения примерно на расстоянии 0 3 / от входа ( 7 - длина замедляющей системы) вводится поглотитель, который может быть выполнен в виде стержней из поглощающей керамики или в виде поглощающих пленок. Поглотитель, конечно, уменьшает коэффициент усиления лампы, что можно компенсировать некоторым удлинением замедляющей системы. Отраженная-волна, создающая обратную связь, ослабляется два раза: 1) при движении волны в обратном направлении и 2) при движении волны в прямом направлении. [42]
Принцип действия прибора заключается в следующем. Энергия СВЧ падает на экран 2 и частично поглощается металлической поглощающей пленкой толщиной в несколько сотен ангстрем. [43]
Готтесфилд и Конвей [ 464] разработали метод для исследования отражения от поверхности ртути, используя электроосажденную на платине ртуть, что дает пленки, лишенные жидкостных свойств и, следовательно, эффектов электромеханического модулирования вследствие изменения поверхностного натяжения, ограничивающего ценность метода электромодуляции на жидкой ртути. Можно показать, что отрицательное изменение относительного коэффициента отражения ДЙ / Д на ртути в растворе С1 - при наложении потенциала объясняется существованием поглощающей пленки, а не избыточным положительным зарядом со стороны металла, поскольку последняя причина привела бы к эффекту противоположного знака при использованных длинах волн. [44]
Страницы: 1 2 3