Тонкая пленка

Cтраница 2

Тонкие пленки целесообразно помещать перпендикулярно оси резонатора, перекрывая последний в максимуме напряженности электрического ( измерение е) и магнитного ( измерение ц) полей. [16]

Тонкая пленка из сплава марганец - висмут обладает способностью к магнитной записи, которую трудно нарушить случайными посторонними полями. [17]

Основные параметры ферритов с ППГ. [18]

Тонкие пленки изготавливают или испарением магнитного материала в вакууме с последующим охлаждением его на поверхности носителя, или методом катодного распыления в атмосфере газа, или гальваническим способом. Наиболее широко распространен первый способ. В качестве подложки применяют изолятор - стекло или проводник - алюминий. [19]

Тонкие пленки обеспечивают плотность монтажа до 200 элементов / см8 ц высокую точность элементов. [20]

Тонкие пленки первоокислов и химических соединений, обладающих высокой термостойкостью ( особенно окислы кислорода), эффективные на всех операциях резания и при обработке всех металлов. [21]

Относительное удлинение проволоки, %, не менее.| Допускаемое отклонение сопротивления 1 м проволоки от номинального значения, %.| Характеристики литых микропроводов. [22]

Тонкие пленки из нихрома Х20Н80, полученные методом термического вакуумного испарения и конденсации, применяются для тонкопленочных резисторов, в частности резисторов в интегральных микросхемах. Химический состав пленок отличается от состава исходного испаряемого сплава и зависит от технологических факторов: скорости испарения, температуры; материала подложки, давления и состава остаточной атмосферы в камере и от толщины пленки. Такие пленки обладают хорошей адгезией к. [23]

Зависимость потерь на переменном токе в NbiSn и Nb на частоте 50 Гц при 4 2 К от максимального значения напряженности магнитного поля на поверхности образца.| Максимальная температура некоторых сверхпроводящих пленок. [24]

Тонкие пленки некоторых сверхпроводящих металлов обладают более высокими Гс, чем в массивном состоянии. [25]

Тонкие пленки некоторых полупроводников на металле иногда дают аномально большую вторичную электронную эмиссию. Впервые это было установлено в 1936 г. Молтером для пленки окиси алюминия, обработанной в парах цезия. [26]

Идеализированная диаграмма энергетических зон каскадного солнечного элемента с двумя переходами.| Тонкопленочный солнечный элемент. [27]

Тонкие пленки на основе аморфного кремния создают путем выращивания слоя аморфного кремния толщиной 1 - 3 мкм и тоньше на стеклянных подложках, покрытых слоем металла. [28]

Тонкая пленка с показателем преломления 1 5 освещается светом с длиной волны А 600 нм. При какой минимальной толщине пленки исчезнут интерференционные полосы. [29]

Тонкая пленка толщиной 0 50 мкм освещается желтым светом с длиной волны 590 нм. Какой будет казаться эта пленка в проходящем свете, если показатель преломления вещества пленки 1 48, а лучи направлены перпендикулярно к поверхности пленки. Что будет происходить с окраской пленки, если ее наклонять относительно лучей. [30]

Страницы: 1 2 3 4