Тонкая пленка - золото
Cтраница 1
 |
Химический состав свинца различных марок. [1] |
Тонкие пленки золота, обладающие малым коэффициентом поглощения падающего на них света и высокой проводимостью, получают методами катодного распыления и термического вакуумного испарения и конденсации. [2]
Тонкие пленки золота, обладающие малым коэффициентом поглощения падающего на них света и высокой проводимостью, получают методами катодного распыления и термического вакуумного испарения и конденсации. Они находят широкое применение в качестве нейтральных оптических фильтров, электродов ( в том числе полупрозрачных) в фоторезисторах и полупроводниковых фотоэлементах, а также в качестве токопроводящих коммуникаций и контактных площадок в пленочных микросхемах. В контактах золота с алюминием происходит постепенное образование ряда интерметаллических соединений ( Au2Al, AuAl2 Au4Al, Au5Al2), обладающих повышенными хрупкостью и удельным электрическим сопротивлением. Поэтому контакты тонких пленок Аи и А1 ненадежны. [3]
Тонкие пленки золота и металлических сульфидов устойчивы значительно более продолжительное время даже в отсутствие желатиновых пленок. Значение этих наблюдений для исследования причин отклонения от взаимозаместимости при низких освещен-ностях в несенсибилизированных микрокристаллах, повидимому, состоит в том, что при низкой скорости поглощения фотонов атомы серебра, выделяющиеся на центрах светочувствительности после захвата электронов, могут далее диффундировать прочь от этих центров по внутренним поверхностям еще до захвата второго электрона, так что образование группы атомов серебра на центре светочувствительности происходит с низкой эффективностью и может зависеть от поглощения сразу нескольких квантов. Вторая возможная причина отклонений от взаимозаместимости при низких освещенностях связана с диффузией брома. Желатина не является эффективным акцептором галоида [11], и экспериментальные данные показывают, что образующийся при освещении галоид не легко покидает поверхность кристалла галоидного серебра, покрытого тонкой пленкой желатины. Если скорость образования атомов галоида мала, то они могут диффундировать вдоль внутренних поверхностей кристалла и реагировать с атомами серебра с большей вероятностью, чем с желатиной или чем покинуть поверхность путем диффузии через желатину. Вероятно, атомы галоида прочно адсорбированы на поверхностях кристаллов галоидного серебра, тогда как молекулы, особенно в момент их образования, адсорбированы менее прочно и поэтому легче покидают поверхность. Образование молекул зависит от местной поверхностной концентрации атомов брома и, следовательно, когда имеет место процесс диффузии, - от скорости образования атомов брома. Влияние диффузии атомов серебра и брома на эффективность образования скрытого изображения при низких освещенностях должно уменьшаться с падением температуры, что, вместе с пониженной вероятностью диссоциации групп атомарного серебра, позволяет объяснить повышенную эффективность образования скрытого изображения при низких температурах. [4]
Самые тонкие пленки золота и других металлов получают методом вакуумного напыления. Золото кипит при температуре 2880 С, однако для получения напыленного слоя совсем не обязательно доводить золото до кипения. В вакууме золото испаряется и при значительно более низких температурах, которые получают с помощью электропечи. Пары золота осаждаются на холодной поверхности, образуя сплошную золотую пленку толщиной в несколько атомных слоев. Такую пленку просто не увидеть невооруженным глазом. [5]
 |
Зависимость общей степени превращения аммиака ( а и степени превращения его в гидразин ( б от удельной энергии в присутствии металлических пленок при силе тока I ма и давлении. [6] |
В работе использовались тонкие пленки золота, палладия, платины, серебра, никеля, нанесенные на вкладыш. [7]
Центральная часть полоски тонкой пленки золота, проявленной после освещения через щель, расположенную перпендикулярно к полоске. В освещенной зоне золото разрушилось и образовалось внутреннее скрытое изображение. [8]
Трийа и Окетани [39], посвященной исследованию тонких пленок золота, серебра и других металлов, указывается, что действие электронного луча приводит к постепенному ослаблению картины от металла и к усилению фона. [9]
Образец представлял собой кристалл кремния, покрытый тонкой пленкой золота. При бомбардировке ионами такого малого размера ионный пучок при определенной ориентации образца может проникать вглубь на значительное расстояние по каналам в кристаллической структуре. [10]
При использовании микросхем и высокочастотных разъемов с золочеными выводами тонкая пленка золота с выводов должна быть при лужении удалена путем растворения в массе припоя. В противном случае золото будет растворено в процессе пайки в зоне паяного шва. Образующиеся при этом хрупкие интерметаллические соединения золота и припоя сосредоточиваются в паяном шве, ослабляя его. [11]
Резерфорд, исследуя прохождение а-частиц с энергией в несколько мегаэлек-трон-вольт через тонкие пленки золота ( см. § 208), пришел к выводу о том, что атом состоит из положительно заряженного ядра и окружающих его электронов. [12]
Резерфорд, исследуя прохождение а-частиц с энергией в несколько мегаэлект-рон-вольт через тонкие пленки золота ( см. § 208), пришел к выводу о том, что атом состоит из положительно заряженного ядра и окружающих его электронов. [13]
Резерфорд, исследуя прохождение а-частиц с энергией в несколько мегаэлек-трон-вольт через тонкие пленки золота ( см. § 208), пришел к выводу о том, что атом состоит из положительно заряженного ядра и окружающих его электронов. [14]
На рис. 13 показано явление, которое наблюдалось во всех опытах с поверхностями, сенсибилизированными тонкими пленками золота, но никогда не наблюдалось в опытах с серебром. [15]
Страницы: 1 2 3