Тонкая магнитная пленка
Cтраница 3
Запоминающие устройства на тонких магнитных пленках имеют ряд преимуществ через ЗУ на ферритовых сердечниках, что обусловило интенсивное проведение работ по их созданию. К таким преимуществам, в частности, относятся следующие: - перемагничивание пленок требует гораздо меньшей энергии, чем сердечников; трудоемкая операция нанизывания отдельных сердечников заменяется напылением одновременно большого числа ячеек со всеми необходимыми шинами и соединениями; использование когерентного вращения вектора намагниченности в однодоменных по толщине пленках позволяет заметно увеличить быстродействие ЗУ. [31]
 |
Различные структуры доменов. [32] |
ППГ могут быть использованы тонкие магнитные пленки. Однако ввиду плохой воспроизводимости их свойств они не получили широкого практического применения. Более перспективно применение тонких магнитных пленок для получения специфичных доменных структур, которые можно с успехом использовать в информационно-измерительных, вычислительных и автоматических устройствах. Такие устройства отвечают требованиям микроминиатюризации, быстродействия, малого потребления энергии, надежности. К специфичным доменным структурам относят: полосовые, цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) и др. Образование таких структур происходит в тонких магнитных пленках ( ТМП), под которыми понимают слои ферромагнитных и ферримагнит-ных веществ толщиной порядка микрона и менее. Эти структуры могут возникать также в тонких пластинках из некоторых материалов. [33]
Она несправедлива и для тонких магнитных пленок, таких, у которых толщина / оказывается сравнимой с размером домена. [34]
Логические элементы на основе тонких магнитных пленок ( ТМП) с одноосной анизотропией привлекают внимание простотой выполнения логических операций, высокой плотностью записи информации и потенциальными возможностями массового и дешевого производства. [35]
Известно несколько методов изготовления тонких магнитных пленок ( табл. VII. Из большого числа известных методов изготовления ферромагнитных тонких пленок до сих пор использовались лишь немногие ( помеченные в табл. VIII. В настоящее время наиболее употребительным является метод напыления. [36]
Запоминающие устройства на основе тонких магнитных пленок потребляют очень малую мощность для записи и считывания информации и позволяют коммутировать управляющие токи маломощными полупроводниковыми приборами. [37]
Разработаны также устройства с использованием тонких магнитных пленок. Изобретенный в ачале века метод измерения азимута при помощи феррозондов, приспособленный для производства измерений в движении, заслуживает наибольшего внимания. Теоретически доказана возможность замены обычно вибронеустойчивой магнитной стрелки системой ММП. Три типа систем с ММП дают возможность однозначно определять азимут: два неподвижных ММП, всегда принимающих горизонтальное положение; три неподвижных ММП и два гравитационных преобразователя; две пары ММП, подвижно закрепленных в каркасе, который поворачивается вокруг оси. Основываясь на том, что известные в настоящее время гравитационные преобразователи включают подвижные элементы, можно сделать вывод, что все возможные варианты устройств с ММП включают подвижные элементы. Следовательно, обеспечение непрерывного измерения азимута в движении возможно только при использовании различных систем демпфирования подвижных элементов. [38]
Рассмотрим наиболее применяемые методы изготовления тонких магнитных пленок. [39]
Вычислительные машины Тесла-200 реализованы на тонких магнитных пленках и быстрых логических схемах, что позволило применить средства микропрограммирования. В состав процессора входит сверхбыстрая память, которая является оперативной памятью системы. Эта память емкостью 2560 бит содержит регистры, хранящие временную информацию, необходимую для работы арифметического устройства, регистра команд и регистра каналов. Тонкие магнитные пленки сокращают время поиска до 115 не. [40]
 |
Отклонение вектора намагниченности от направления, перпендикулярного оси анизотропии, в за. [41] |
Рассмотрим конфигурацию запоминающих элементов на тонких магнитных пленках, а также процессы считывания и записи информации, происходящие в них. Запоминающий элемент на плоской магнитной пленке ( рис. 4.27, б) образуется в месте пересечения взаимно перпендикулярных адресной и разрядной плоских шин управления 3 и 4, наложенных на магнитную пленку 2 и отделенных друг от друга и от пленки слоями диэлектрика. [42]
Как устроена матрица памяти на тонких магнитных пленках. [43]
Следует отметить, что на тонких магнитных пленках могут бьт выполнены не только элементы памяти ЭВМ, но также логические микросхемы, магнитные усилители и другие устройства. [45]
Страницы: 1 2 3 4