Цилиндрическая магнитная пленка

Cтраница 2

Экспериментальные характеристики запоминающего элемента на цилиндрической магнитной пленке. [16]

На рис. 14.16, б приведены характерные зависимости Есч / ( / зап) при трех фиксированных значениях IT для одного из запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках. [17]

Таким образом, представление ЗЭ пространственной системой позволяет определить как его эффективную длину, так и управляющие токи, а, следовательно, и параметры матриц ЗУ на цилиндрических магнитных пленках. [18]

В настоящем учебном пособии рассмотрены преимущественно специальные технологические процессы при производстве ЭВА, например, приведены сведения по технологии изготовления матриц оперативных запоминающих устройств на ферритовых сердечниках, плоских и цилиндрических магнитных пленках; магнитных барабанов, дисков и лент, магнитных головок внешних запоминающих устройств; многослойных печатных плат и ряда других деталей и сборочных единиц. [19]

Коды ключей защиты памяти хранятся в специальной памяти ключей защиты, более быстродействующей, чем ОП. В машине ЕС-1030 эта память выполнена на цилиндрических магнитных пленках, а в ЭВМ ЕС-1045 - на интегральных микросхемах. [20]

Пленочные запоминающие устройства развиваются в двух направлениях - на плоских магнитных пленках и цилиндрических, причем второе направление получило преимущественное распространение, что во многом объясняется успешным разрешением ряда технологических проблем, связанных с изготовлением ЗУ на цилиндрических пленках. Например, по имеющимся сведениям производство запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках в США растет приблизительно в шесть раз быстрее общего производства всех остальных ЗУ с произвольной выборкой. [21]

Рассматривается история появления и состояние в настоящее время ЗУ на цилиндрических магнитных пленках. Приводятся результаты некоторых отечественных работ, проведенных в направлении создания цилиндрических магнитных пленок, матриц и ОЗУ на их основе. [22]

Электрохимическая обработка снижает степень шероховатости подложки, устраняя на ее поверхности некоторые микродефекты, но не может устранить влияние структуры подложки на магнитное покрытие. Для этого применяют подслой, чаще всего из меди, который служит своеобразным демпфером между подложкой и магнитной пленкой. Этот способ используют при производстве цилиндрических магнитных пленок ( ЦПМ), а также магнитных дисков и барабанов. Покрытия толщиной 1 7 - 1 9 мкм обладают равномерностью и хорошей адгезией к поверхности подложки. [23]

Идея использования магнитной проволоки для создания запоминающего элемента впервые была предложена Джианолой [ 1 ] в 1958 году. Однако, как показали исследования, сплошная проволока не позволяет получить однородное поле перемагничивания по радиусу. В 1960 г. Лонгом [2 ] была предложена и разработана технология получения цилиндрической магнитной пленки ( ЦМП), осажденной на проволоке электрохимическим путем. [24]

Страницы: 1 2