Нелегированная пленка
Cтраница 1
Нелегированные пленки a - Si: Н, полученные в высокочастотном разряде, тлеющем в смеси газов SiH4 ( 90 %) и Н2 ( 10 %), осаждались на подложки из стекла, нагретые до 240 С. [1]
 |
Зависимость удельной теплоемкости с и удельной теплопроводности к двуокиси олова от температуры. [2] |
У нелегированных пленок SnQ, температурный коэффициент удельного сопротивления ар отрицателен, величина его однозначно связана с величиной проводимости, которая, в свою очередь, зависит от степени нарушения стехиометрии. При нормальных условиях у таких пленок все носители заряда диссоциированы и температурная зависимость сопротивления определяется изменением подвижности носителей. При нагреве пленок выше 240 С происходят необратимые изменения сопротивления. [3]
В нелегированных пленках a - Si: H и-типа ( рис. 2.4.8, в) ( в областях сеток чистого a - Si) электроны двигаются более свободно и менее подвержены захвату ловушками, что проявляется в недисперсионном характере электронного переноса и в высокой подвижности носителей заряда. Дырки же, претерпевая со стороны ловушек частый захват, оказываются локализованными в сильно разупорядоченных областях Si: H аморфного полупроводника, что проявляется в диспер-сионности переноса дырок. Как было показано выше, этот случай реализуется в пленках обоих типов: TP-a - Si: H и PP-a - Si: H. [5]
Условия осаждения нелегированных пленок a - Si: Н оказывают существенное влияние не только на темновое удельное сопротивление, но и на фотопроводимость. Согласно результатам анализа фотопроводимости, существуют различные механизмы рекомбинации носителей. Зависимость удельной фотопроводимости ор от интенсивности излучения Н имеет вид ор со Hvy где у - постоянная величина. [6]
Использованные в эксперименте нелегированные пленки a - Si: H осаждались на кварцевые подложки из чистого SiH4 путем разложения последнего в ТР при давлении газа 6 65 Па, расходе 5 станд. [7]
В отличие от нелегированной пленки, пленка, легированная азотом, практически не требует процесса формовки. [9]
Анализ удельного сопротивления и фотопроводимости нелегированных пленок a - Si: Н может быть выполнен исходя из температурной зависимости проводимости, обусловленной свободными носителями заряда. Однако другие авторы [101] наблюдали изменение механизма проводимости при температуре около 250 К и высказали предположение, что ниже этой температуры реализуется прыжковый механизм переноса носителей заряда по состояниям, локализованным в запрещенной зоне. [10]
Данные о подвижности электронов в нелегированных пленках различного состава приведены в табл. 4.10. В твердых растворах, содержащих до 30 % GaP, подвижность электронов уменьшается слабо. [11]
В табл. 6.3 суммированы основные свойства легированных и нелегированных пленок a - Si: Н и a - Si: F: Н, получаемых различными методами. [12]
На рис. 1 показана зависимость плотности дислокаций в нелегированных пленках германия от исходной концентрации тетрахлорида германия в газовой фазе. На кривых завсиимости плотности дислокаций от температуры подложки при осаждении из газовых смесей с одинаковой концентрацией тетрахлорида ( рис. 2) имеется минимум в области 770 - 780 С. Повышение плотности дислокаций после минимума не зависит от исходной концентрации GeCl4 и связано, по-видимому, с плотностью равновесных дефектов. [13]
На рис. 6.4, б представлены кривые температурной зависимости удельной фотопроводимости нелегированных пленок. [14]
И только недавно [88-91] широкое применение этого метода в промышленном масштабе для изготовления как легированных, так и нелегированных пленок многокомпонентных полупроводниковых материалов для известных и новых структур, а также структур, находящихся в стадии разработки, стимулировало исследование физических и химических процессов, происходящих при выращивании пленок. [15]
Страницы: 1 2