Cтраница 3
Состояния в микросхеме К531АП4.| Функциональная схема двунаправленного шинного усилителя ( о. передача сигнала слева направо ( б. передача сигнала справа налево ( в. [31] |
Для микросхемы ИП6 ток потребления l 0T 28 мА, если на выходах напряжение низкого уровня и 33 мА, когда все выходы разомкнуты. Время задержки выключения от низкого уровня к разомкнутому состоянию Z составляет 35 не. [32]
Время задержки выключения тока в На выводах /, 6, 7, 9, 10, 12 сигналы отсутствуют, вывод 8 заземлен. [33]
В течение короткого времени, зависящего от свойств диода, его р - п-переход открыт и потенциал коллектора, оставаясь связанным с потенциалом точки а, не может спадать к уровню - Ек. При применении высокочастотного диода задержка выключения пренебрежимо мала. [34]
Упрощенная схема ненасыщенного транзисторного ключа с нелинейной обратной связью. [35] |
Насыщенные ключи характеризуются малой мощностью рассеяния на коллекторном переходе во включенном состоянии и хорошей помехоустойчивостью. Однако в этом режиме из-за задержки выключения транзистора снижается быстродействие ключа. Кроме того, время выключения транзистора зависит от изменений окружающей температуры и может быть различно для различных транзисторов. Этот недостаток может быть устранен путем использования больших рассасывающих токов, что, однако, связано с применением специальных стробирующих каскадов. Другим недостатком насыщенных схем является большая мощность рассеяния на базе при больших степенях насыщения. [36]
Микросхема представляет собой формирователь временных интервалов ( таймер) и предназначена для формирования интервалов от 1 сек до нескольких десятков часов для применения в промышленных контроллерах и бытовой технике. НС может работать в режимах задержки включения, задержки выключения, запуска по переднему фронту, запуска по заднему фронту, модуляции выходного сигнала, делителя частоты. [37]
Поэтому время рассасывания tv иногда называют в р е-менем задержки выключения каскада. Учитывая, что изменение кажущегося тока на этапе рассасывания имеет экспоненциальный характер и постоянную времени. [38]
Подобное выполнение цепи для транзистора Т нецелесообразно, поскольку в этом случае для протекания тока базы при рассасывании заряда, накопленного в транзисторе Т7, необходимо последовательно открыть два эмиттерных р-п-перехода. Это приводит к одновременному уменьшению времени задержки включения по инверсному выходу и задержки выключения по прямому выходу, причем их величины становятся практически одинаковыми. [39]
Условное обозначение транзисторов MOSFET. [40] |
Второе преимущество полевого транзистора можно обнаружить, если вспомнить, что в биполярном транзисторе, помимо основных носителей тока, существуют также и неосновные, которые прибор набирает, благодаря току базы. С наличием неосновных носителей связано хорошо нам знакомое время рассасывания, что в конечном шч / - ге обуславливает задержку выключения транзистора. В полевых транзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью. [41]
Контрольный пульт управления отвечает за электронный контроль работы сварочного аппарата. Существуют четыре легко заменяемые электронные печатные платы для контроля скорости сварки, скорости подачи проволоки, частоты колебаний горелки и задержки выключения подачи проволоки и защитного газа. Реле задержки позволяет обеспечить подачу проволоки и защитного газа в течение некоторого времени после прекращения перемещения аппарата для заварки кратера в конце сварного шва. Для каждой функции также существует отдельная кнопка на панели управления. [42]
Выключатели коррекции ( ВК) имеют такое конструктивное исполнение, при котором объем проверок при обслуживании сравнительно небольшой, а надежность работы В К достаточно высока. Во время эксплуатации через 200 ( 1000) ч налета контролируют работоспособность ВК, обращая особое внимание на выдерживание времени задержки выключения коррекции и на соблюдение симметричности задержки, а также измеряют ток, потребляемый каждой фазой гиромотора ВК. [43]
Время переключения транзистора состоит из суммы времени включения и времени выключения. В свою очередь время включения состоит из суммы времени задержки включения и времени нарастания, а время выключения - из времени задержки выключения ( времени рассасывания) и времени спада. Время переключения определяется как свойствами самого транзистора, так и, выбранной схемой включения транзистора и параметрами управляющего сигнала. Оно является функцией частоты / Гр и эмиттерного и коллекторного токов. Получить высокое быстродействие при большом токе затруднительно. [44]
Наибольшее распространение получил принцип независимой выдержки времени, когда пусковые ступени независимо от нагрузки выводятся через заданные промежутки времени. Принцип ограничения тока, когда ступени выводятся по мере спада-ниятока, применяется относительно часто, но имеет тот недостаток, что при-случай ных перегрузках происходит задержка выключения очередной ступени сопротивления и возможно ее повреждение. [45]