Эпи-таксиальная пленка

Cтраница 1

Эпи-таксиальные пленки образуются при росте на подложках с температурой tn 775 С. С повышением температуры поверхность становится совершеннее, но при tu 830 С скорость роста уже очень мала. [1]

Наиболее прост и технологически управляем процесс получения эпи-таксиальных пленок методом водородного восстановления хлоридов. Такой метод используют для получения высокоомных пленок германия и кремния на монокристаллических низкоомных подложках. [2]

Вероятно, один из важнейших источников дефектов в эпи-таксиальных пленках связан с разориентацией отдельных зародышей. [3]

Профили распределения. [4]

Тойерер [13] обнаружил, что даже при использовании очищенного тетрахлорида максимальное электросопротивление эпи-таксиальных пленок ( га-типа) едва достигало 100 ом - см, хотя при данной чистоте исходного продукта принципиально возможно получение более высоко-омных осадков. [5]

На гранях ( 100), ( НО) и ( 111) монокристалла германия эпи-таксиальные пленки GaAs при распылении начинают расти при tK 540 С. [6]

Лишь в области диаграммы ЖК появление после автокоалесценции неограненных ( каплеобразных) частиц делает возможной интенсивную жидкоподобную коалесценцию, которая способствует слиянию дисперсного конденсата в равновесную эпи-таксиальную пленку со сравнительно небольшим количеством дефектов кристаллического строения. В этой области энергии теплового движения атомов ( ниже ГП 2300С) недостаточно, чтобы преодолеть порог и осуществить интенсивное спекание. В этой зоне переход к равновесию существенно заторможен. Направление изменения 7П и VK, соответствующих наиболее быстрому переходу к равновесию уже в процессе формирования пленки, показано на рис. 5 - 17 стрелкой. [7]

Следует отметить, что для увеличения пробивного напряжения на эмиттерном переходе у высокочастотных транзисторов, полученных на основе диффузионной технологии, в приэмиттерной области базы наращивается эпи-таксиальная пленка. Наличие высокоомной пленки помимо увеличения пробивного напряжения создает тормозящее поле, что делает невозможным применение такого транзистора при режимах микротоков. Поэтому с точки зрения эффективной работы транзистора в режимах микротоков наиболее перспективны микросплавные и планарные транзисторы. [8]

Получают СаАз сплавлением Оа с Аз под давлением паров Аз ( ок. Эпи-таксиальные пленки, а также мелкокристаллич. СаАз получают путем хим. транспортных р-ций с Н2 в кач-ве газа-носителя, напр. [9]

Наличие одновременно прямой и обратной диффузий при создании перехода коллектор - база позволяет использовать низ-коомный исходный германий. Это дает возможность создавать транзисторы с хорошими импульсными свойствами и высокими пробивными напряжениями на коллекторе без применения эпи-таксиальных пленок. [10]

В работе [99] предложен метод эпитаксиального осаждения из паровой фазы с последующей диффузией в полученный эотитак-сиальный слой. Подготовка подложки включает полировку или травление и очистку от остаточного кислорода путем нагрева в атмосфере водорода при 1290 С. Эпи-таксиальная пленка должна иметь более высокое удельное сопротивление, чем подложка. [11]

Модель дислокаций несоответствия на поверхности раздела PQ. [12]

Несоответствие периодов решеток компенсируется за счет упругой деформации обеих граничащих друг с другом решеток. Если условия деформации таковы, что однородно по толщине искажается решетка лишь одного из граничащих друг с другом кристаллов, то говорят о явлении псевдоморфизма. Такая ситуация возникает, например, в тончайших эпи-таксиальных пленках некоторых веществ, сросшихся с поверхностью массивного монокристалла. Упругое искажение решетки одного или обоих граничащих друг с другом кристаллов может происходить лишь до определенных пределов. Поэтому в модели Ван-дер - Мерве вводится понятие о дислокациях несоответствия - - линейных дефектах, возникающих на межфазной границе. Эти дислокации появляются при наличии несоответствия параметров решетки, и они способствуют компенсации такого несоответствия. [13]

Принципиальная схема реакторов для выращивания пленок кремния методом газовой эпитаксии ( а и пленок арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии ( б. [14]

Она состоит в переводе вещества будущей эпитакси-альной пленки в летучее химическое соединение, доставке этого соединения к подложке и в разложении его с выделением на подложке атомов ( молекул) чистого исходного вещества. В качестве примера на рис. 2.9, а показана принципиальная схема одной из установок выращивания автоэпитаксиальных пленок кремния. Проходя над кремниевыми подложками, SiO4 восстанавливается до атомарного кремния SiCl4 2Н2 - 4НС1 Si, который осаждается на подложках в виде эпи-таксиальной пленки. [15]

Страницы: 1 2