Двухслойная пленка

Cтраница 3

Кривые испарения смеси, содержащей 8 10 - 3 торр С02 и 40 - 1Q 8 торр н. гексана, полученные при трех различных способах конденсации компонентов на донышко ловушки. [31]

Кривые 1 и 2 были получены при испарении двухслойных пленок, в которых сначала на донышко ловушки конденсировался один компонент, а затем другой. Кривая 3 получена при испарении пленки с равномерно распределенными в ней компонентами. [32]

Искусственное дождевание показало, что нанесение на стекло двухслойной пленки приводит к значительному повышению устойчивости гидрофобных покрытий на основе полиэтилгидросилоксана. Лишь после 50 ч дождевания угол смачивания гидрофобизованной поверхности снижается до 87 - 93 и в дальнейшем почти не изменяется даже после 300 ч дождевания. Вследствие осаждения гидрофильных частиц на гидрофобизованной поверхности стекла в процессе дождевания она начинает терять водоотталкивающие свойства. [33]

Эти покрытия являются магнитомяг-кими и применяются в виде двухслойных пленок. [34]

Расчетами [1, 76, 96, 295, 296] показано, что возможны различные конструкции двухслойных пленок с разными соотношениями толщины отдельных слоев и их показателей преломления. В результате нанесения двухслойных пленок отражение света может быть уничтожено для определенной длины волны в различных областях спектра. [35]

Непосредственно перед накаткой нижнюю полиэтиленовую прокладку отделяют, а оставшуюся двухслойную пленку свежеоткрытой стороной накатывают на поверхность подложки. Накатку осуществляют при нагреве валков до 104 4 С, со скоростью 6 см / с. Наличие в подложке предварительно выполненных отверстий не мешает накатке. Накатанная пленка должна быть выдержана 30 мин перед экспонированием, чтобы завершились усадочные деформирующие процессы, которые могут вызвать искажения. [36]

Принципиальная схема сенсора на полевых транзисторах.| Принципиальная схема сенсора, допускающего постоянную градуировку. [37]

Здесь R - проволочный резистор, - а П - двухслойная пленка, внутренний слой которой ( со стороны резистора) проводящий. Прикосновение к пленке приводит к соединению ее с соответствующим участком поверхности резистора. От точки касания зависит напряжение, до которого заряжается конденсатор С и от которого соответственно зависит напряжение на варакторе, а следовательно, и частота настройки колебательного контура. Проводя пальцем по полоске пленки можно плавно изменять настройку приемника. При достижении настройки на нужную станцию палец убирают, а настройка сохраняется, пока разряд конденсатора не приведет к расстройке за пределы полосы частот, занимаемой спектром сигнала. [38]

Спектральное отражение кварца с двухслойными пленками ZrO2 SiO2 различной толщины.| Спектральное пропускание системы из 6 пластин кварца после просветления его 12 поверхностей двухслойными пленками ZrO2 SiO2 различной толщины.| Спектральное пропускание системы из 12 кварцевых пластин до и после просветления 24 поверхностей пленками НГО2 SiO2. [39]

На рис. 38 приведено спектральное отражение от одной поверхности кварца с двухслойной пленкой ZrC2 SiCb, а на рис. 39 показано спектральное пропускание стопки шести кварцевых пластинок с двухслойными пленками на обеих поверхностях. Такие покрытия применимы и для просветления деталей из флюорита, особенно в тех случаях, когда оптическая система работает в узких участках УФ области спектра. [40]

При осаждении второго слоя из магнитного высококоэрцитивного материала неоднородность магнитной структуры в двухслойной пленке усредняется по толщине и повышается Нс основного слоя. Выбор материала определяется следующими требованиями: максимальной коэрцитивной силой Нс, минимальным значением поля анизотропии Hh, малой магнитострикцией, отношением кристаллографической анизотропии к одноосной, близким тому же отношению основной пленки. С увеличением толщины второго слоя в пределах 0 - 600 А возрастают значения Нс, Hh и бос двухслойных пленок. [41]

Анодирование тантала в безводной муравьиной кислоте и других органических растворах приводит к образованию двухслойной пленки. [42]

Зависимости 1 - коэф - Q5. [43]

Кроме того, удалось установить, что коэффициент корреляции флуктуации между слоями в двухслойной пленке зависит от толщины диэлектрического промежутка. При изменении толщины диэлектрика от нуля до нескольких десятков нм ферромагнитные слои имеют тенденцию к параллельной ориентации намагниченности, и коэффициент корреляции флуктуации монотонно убывает, оставаясь положительным. [44]

Яв g - высота единицы массопередачи, соответствующая разности парциальных давлений по обе стороны двухслойной пленки. [45]

Страницы: 1 2 3 4