Cтраница 4
Модификация метода, представленная на рис. 7.49, позволяет измерять температуропроводность в плоскости образца, сравнивая ее с известной температуропроводностью стандартного образца. [46]
Измерить твердость, подготовив предварительно образец так, чтобы измеряемая и опорная плоскости образца были плоскопараллельными и свободными от окалины. [47]
Образец расположен между полюсами электромагнита таким образом, чтобы магнитное поле было перпендикулярно плоскости образца. [48]
Толщиномер для измерения глубины подканавочного слоя.| Установка образцов в зажимы машины МРС-2. [49] |
Прокол прямой канавки для испытаний по методу Б делают по ее центру перпендикулярно плоскости образца. Прокол должен обеспечиваться одним ударом копья, которое можно смачивать водой или мыльным раствором. [50]
Установка образцов в зажимы машины МРС-2. а - с прямыми нанавнами. б - с М - образвыми канавками. [51] |
Прокол прямой канавки для испытаний по методу А делают по ее центру перпендикулярно плоскости образца. Прокол должен обеспечиваться одним ударом копья, которое мржно смачивать водой или мыльным раствором. [52]
Динамические нагрузки будем искать для схемы установки с неподвижно закрепленной относительно оси вращения плоскостью образца, параллельной плоскости, контактирующей с втулкой. [53]
Обозначим ось, перпендикулярную поверхности образца, через z, ось, лежащую в плоскости образца и перпендикулярную доменной границе-через х и ось, лежащую в плоскости образца и направленную вдоль доменной границы-через у. [54]
Точно так же окисление пленки железа, кристаллы которого ориентированы направлением [111] нормально к плоскости образца, привело к образованию кристаллов окисла ( f - Fe203), ориентированных направлением [ 210 ] 1 также нормально к плоскости образца. Дополнительный анализ показал, что в одной и той же системе координат направление [111] металла совпадает с направлением [ l / 210) j окисла. [55]
Если параллельно освещаемой поверхности ( ось z) направить магнитное поле, то в плоскости образца вдоль перпендикулярной к направлению поля оси у потечет ток. Дырочный и электронный токи / Лу, Jev определяются уравнениями ( см. гл. [56]
Обозначим ось, перпендикулярную поверхности образца, через г, ось, лежащую в плоскости образца и перпендикулярную доменной границе-через х и ось, лежащую в плоскости образца и направленную вдоль доменной границы-через у. [57]
Машина трения Шкода-Савина ( Чехословакия) предназначена для испытаний металлов путем вытирания лунки на плоскости образца. Скорость вращения вала можно изменять от 50 до 1000 об / мин, а нагрузку - от 0 5 до 20 кгс. [58]
Рассмотрим магнитоодноосный кристалл в виде пластинки с осью легкого намагничивания ( ОЛН), перпендикулярной плоскости образца. [59]
Температура, определяемая с помощью зондирующего светового пучка, характеризует область, размеры которой в плоскости образца обычно совпадают с размерами светового пятна, а размер в глубину близок к толщине ( / г) слоя, в котором формируется сигнал. Для некоторых методов ( например, основанных на измерении коэффициента отражения или параметров поляризации света) значение h совпадает с глубиной 8 проникновения света в материал. В ряде методов ( например, интерферометрическом, а также по положению края поглощения света в кристалле) определяется температура, усредненная по толщине прозрачного или полупрозрачного образца, имеющего форму плоскопараллельной пластины. [60]