Плоскость - отверстие
Cтраница 3
Точка Q принадлежит элементарной площадочке do, совпадающей с плоскостью отверстия. Естественно считать, что cos ( n, R), R и R0 мало меняются в пределах углового размера отверстия. [31]
При этом условии скорости во всех точках сечения струи в плоскости отверстия практически одинаковы. [32]
На расстоянии / ( 0 5 - l 0) rf от плоскости отверстия образуется так называемое сжатое сечение струи с-с ( рис. 6.1), в котором течение можно считать параллельно-струйным. [33]
Еслп точка А достаточно далека от экрана, амплитуду сферической волны в плоскости отверстия можно считать постоянной, но необходимо учесть непостоянство фазы. [34]
Здесь ds и dp - расстояния от точек соответственно 5 и Р до плоскости отверстия, а 1 2 и У, 2 - координаты вершин отверстия в декартовой системе координат с центром на нормали, опущенной из 5 на экран. [35]
Поскольку анодная линза является рассеивающей, ее фокус ( мнимый) расположен левее плоскости анодного отверстия. [36]
Так как измеряемой величиной является расход газа, то достаточно определить функцию распределения в плоскости отверстия. Для траекторий молекул, приходящих в плоскость отверстия из сосуда высокого давления, функцию f ( ха, ) в формуле (8.8) следует положить равной равновесной максвелловской функции распределения молекул в этом сосуде, так как предполагается, что размеры сосуда столь велики, что функция распределения на достаточном удалении от отверстия не возмущена процессом истечения. Для траекторий, идущих из сосуда низкого давления ( теоретически из вакуумной камеры), функцию f ( XQ, ), очевидно, следует положить равной нулю. [37]
Если в стенке нагнетательного воздуховода сделать отверстие, то статическое давление, действующее перпендикулярно плоскости отверстия, также преобразуется в скоростное давление, которое вызовет движение воздуха через отверстие. [38]
Схема построения интегрального уравнения такова: в качестве неизвестной скалярной функции и принимаем электрическое поле в плоскости отверстия. Предполагаем ( эта логика всегда лежит в основе вывода интегральных уравнений), что это поле известно; и так как, кроме того, известно поле и Е на металлической поверхности экрана ( оно равно нулю), то задано поле по всей плоскости. Решается граничная задача - по электрическому полю на плоскости находим поле во всем пространстве слева и справа от плоского экрана. Приравнивая нормальные производные поля слева и справа отверстия, получаем искомое интегральное уравнение для электрического поля на отверстии. [39]
Основным свойством, влияющим на процесс дозирования, является сыпучесть, которая характеризует движение материала в плоскости отверстия емкости. Свободно насыпанный рыхлый материал, насыщенный воздухом, не оказывает заметного сопротивления давлению и истечению. Если же сыпучий материал загрузить в бункер и ли другую емкость ( где отсутствует возможность бокового расширения), картина резко меняется. Под давлением веса вышележащих слоев в материале возникают напряжения. Пористость его уменьшается, что приводит к увеличению объемной массы и числа точек контактов частиц. При уплотнении материала вытесняется воздух и возникают молекулярные силы, способствующие упрочнению всей системы. В результате истечение сыпучих материалов из отверстия часто затруднено, что, кроме того, связано с особенностями распределения давления сыпучего материала по высоте емкости. [40]
Чтобы скоба вела валик одновременно за две грани, необходимо обеспечить поводку некоторуйэ возможность перемещения перпендикулярно плоскостям поводкового отверстия или паза. Без соблюдения этого условия отжим детали был бы неизбежен и в смысле распределения сил этот поводок не отличался бы от хомутика. [41]
 |
Обобщение экспериментальных данных при A tg ( 50 15 4 - 0 25 и Д / 2000 / 1 275 D Ь. [42] |
Под воздействием газового потока происходит увеличение заполненной части сечения за счет поворота струи материала в более перпендикулярное к плоскости отверстия направление. При некотором значении перепада давления сыпучий материал заполняет полностью сечение отверстия. Зависимость действительной площади выпускного сечения от величины АР усложняется влиянием высоты слоя. [43]
Нужно еще, чтобы радиальная составляющая поля была пропорциональна расстоянию между осью симметрии и точкой попадания электрона в плоскость отверстия. Несложный вывод показывает, что так оно и есть. [44]
Если в стевке нагнетательного воздуховода сделать отверстие ( рис. V.13), то статическое давление, действующее перпендикулярно плоскости отверстия, также преобразуется в скоростное давление, которое вызовет движение воздуха через отверстие. [45]
Страницы: 1 2 3 4