Cтраница 3
Если охладить монокристаллические образцы, находящиеся в состоянии исходной фазы, ниже Mf, то, как уже описано, образуются кристаллы мартенсита разных вариантов, имеющие 24 кристаллографически эквивалентные плоскости габитуса. Эти варианты называют кристаллографическими разновидностями с характеристической плоскостью габитуса. [31]
Как отмечалось в § 21, интегрирование по k в ( 1), по существу, производится в пределах длинного и узкого стержня в k - пространстве, перпендикулярного к плоскости габитуса. [32]
Будем, как и прежде, исходить из предположения, что оптимальная форма определяется из условия минимума суммы упругой и поверхностной энергии при дополнительном условии постоянства объема VL Так как толщина пластинчатого включения постоянна и равна D, то условие постоянства объема V сводится к условию постоянства площади S VID сечения включения плоскостью габитуса. Постоянство площади S означает, что варьирование формы в плоскости габитуса не приводит к изменениям поверхностной энергии, которая равна yS yV / D, где Y - коэффициент поверхностного натяжения. Этот вывод справедлив, однако, лишь приближенно, если пренебречь вкладом в полнуг поверхностную энергию поверхностной энергии торцов. Послед няя, разумеется, изменяется при варьировании формы в плоскости габитуса. [33]
Ориентировки 7 и б были получены от отдельных пластин: полюсные фигуры соответствуют ориентировке, близкой к соотношению в. Подобные плоскости габитуса и ориентировка, близкая к соотношению а, наблюдались в сплаве с 0 4 % ( атомн. [34]
Всюду, где это было возможно, определенная плоскость габитуса связывалась с определенным вариантом ориентационных соотношений. Варианты плоскости габитуса, отмеченные 1 были выбраны по теоретическим соображениям, и нет никаких экспериментальных доказательств, что они верны. [35]
Тип плоскости зависит от состава стали и, в частности, от содержания углерода и температуры образования мартенсита. Так, плоскостями габитуса являются в низкоуглеродистых сталях - плоскость ( 111) аустенита; в сталях с 0 5 - 1 4 % С-плоскость ( 225) аустенита и в сплавах с 1 5 - 1 8 % С - плоскость ( 259) аустенита. Изменение типа габитуса с изменением содержания углерода происходит плавно. [36]
Существует только одна плоскость, ( 001) aFe, которая содержит обе эти трансляции. Эта плоскость и является плоскостью габитуса. [37]
Будем, как и прежде, исходить из предположения, что оптимальная форма определяется из условия минимума суммы упругой и поверхностной энергии при дополнительном условии постоянства объема VL Так как толщина пластинчатого включения постоянна и равна D, то условие постоянства объема V сводится к условию постоянства площади S VID сечения включения плоскостью габитуса. Постоянство площади S означает, что варьирование формы в плоскости габитуса не приводит к изменениям поверхностной энергии, которая равна yS yV / D, где Y - коэффициент поверхностного натяжения. Этот вывод справедлив, однако, лишь приближенно, если пренебречь вкладом в полнуг поверхностную энергию поверхностной энергии торцов. Послед няя, разумеется, изменяется при варьировании формы в плоскости габитуса. [38]
Фазам пластинчатых эвтектик присуща тенденция к предпочтительной относительной кристаллографической ориентации. Для полной ( адекватной) кристаллографической характеристики структуры необходимо задать плоскость габитуса пластины, кристаллографические плоскости каждой фазы, контактирующие на поверхности раздела, и взаимно параллельные направления в этих плоскостях. Следует задать и направление роста; при стационарной кристаллизации пластины, как правило, располагаются перпендикулярно поверхности раздела твердая фаза - расплав, так что направление роста должно лежать в плоскости раздела пластин. [39]
Действительно, при превращениях 0i -а, и a i - 0i плоскость габитуса образующейся фазы параллельна плоскости базиса. Двойниковые дефекты при этом отсутствуют. [40]
Положительный или отрицательный знак выражения в скобках в правой части зависит от того, являются ли приложенные напряжения напряжениями растяжения или напряжениями сжатия. Уравнение (1.38) выражает наибольший вклад напряжений сдвига при данной ориентировке образца и плоскости габитуса в величину AGS. Обычно ml m %, угол i / / близок к тт / 4, sin 2фа ( 1 cos 2i / /), поэтому первый член выражения в скобках в правой части является преобладающим. Следовательно, независимо от знака напряжений AGS является положительной величиной, напряжения обычно содействуют превращению. [42]
При закалке на плоской полированной ( до обработки) поверхности стального образца всегда появляется рельеф, видимый невооруженным глазом. Изучение рельефа и анализ его связи с кристаллогеометрией мартенситного превращения показали, что плоскость габитуса макроскопически приблизительно инвариантна - она не искажается и не вращается в процессе превращения. Это объясняется тем, что упругие деформации, возникающие при превращении, минимальны. [43]
Наоборот, материал будет мало склонен к ориентированному выделению гидридов, если плоскости габитуса будут ориентированы под небольшим углом к направлению действия растягивающих напряжений. Предшествующая деформация сплава путем прокатки, ковки, волочения или растяжения приводит к возникновению преимущественной ориентировки плоскостей габитуса гидридов. Если плоскости габитуса гидридов ориентированы произвольно, то гидриды вынуждены выделяться не перпендикулярно растягивающим напряжениям, а вдоль имеющихся плоскостей габитуса. [44]
Остановимся теперь более подробно на происхождении объемного члена V2 В ( n0) F в энергии внутренних напряжений, связанной с образованием пластинчатого включения. Мы покажем, что объемная энергия обусловлена только однородной упругой деформацией включения, необходимой для когерентного сопряжения включения и недеформированной матрицы в плоскости габитуса. [45]