Плоскость - габитус - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Порядочного человека можно легко узнать по тому, как неуклюже он делает подлости. Законы Мерфи (еще...)

Плоскость - габитус

Cтраница 3


Если охладить монокристаллические образцы, находящиеся в состоянии исходной фазы, ниже Mf, то, как уже описано, образуются кристаллы мартенсита разных вариантов, имеющие 24 кристаллографически эквивалентные плоскости габитуса. Эти варианты называют кристаллографическими разновидностями с характеристической плоскостью габитуса.  [31]

Как отмечалось в § 21, интегрирование по k в ( 1), по существу, производится в пределах длинного и узкого стержня в k - пространстве, перпендикулярного к плоскости габитуса.  [32]

Будем, как и прежде, исходить из предположения, что оптимальная форма определяется из условия минимума суммы упругой и поверхностной энергии при дополнительном условии постоянства объема VL Так как толщина пластинчатого включения постоянна и равна D, то условие постоянства объема V сводится к условию постоянства площади S VID сечения включения плоскостью габитуса. Постоянство площади S означает, что варьирование формы в плоскости габитуса не приводит к изменениям поверхностной энергии, которая равна yS yV / D, где Y - коэффициент поверхностного натяжения. Этот вывод справедлив, однако, лишь приближенно, если пренебречь вкладом в полнуг поверхностную энергию поверхностной энергии торцов. Послед няя, разумеется, изменяется при варьировании формы в плоскости габитуса.  [33]

Ориентировки 7 и б были получены от отдельных пластин: полюсные фигуры соответствуют ориентировке, близкой к соотношению в. Подобные плоскости габитуса и ориентировка, близкая к соотношению а, наблюдались в сплаве с 0 4 % ( атомн.  [34]

Всюду, где это было возможно, определенная плоскость габитуса связывалась с определенным вариантом ориентационных соотношений. Варианты плоскости габитуса, отмеченные 1 были выбраны по теоретическим соображениям, и нет никаких экспериментальных доказательств, что они верны.  [35]

Тип плоскости зависит от состава стали и, в частности, от содержания углерода и температуры образования мартенсита. Так, плоскостями габитуса являются в низкоуглеродистых сталях - плоскость ( 111) аустенита; в сталях с 0 5 - 1 4 % С-плоскость ( 225) аустенита и в сплавах с 1 5 - 1 8 % С - плоскость ( 259) аустенита. Изменение типа габитуса с изменением содержания углерода происходит плавно.  [36]

Существует только одна плоскость, ( 001) aFe, которая содержит обе эти трансляции. Эта плоскость и является плоскостью габитуса.  [37]

Будем, как и прежде, исходить из предположения, что оптимальная форма определяется из условия минимума суммы упругой и поверхностной энергии при дополнительном условии постоянства объема VL Так как толщина пластинчатого включения постоянна и равна D, то условие постоянства объема V сводится к условию постоянства площади S VID сечения включения плоскостью габитуса. Постоянство площади S означает, что варьирование формы в плоскости габитуса не приводит к изменениям поверхностной энергии, которая равна yS yV / D, где Y - коэффициент поверхностного натяжения. Этот вывод справедлив, однако, лишь приближенно, если пренебречь вкладом в полнуг поверхностную энергию поверхностной энергии торцов. Послед няя, разумеется, изменяется при варьировании формы в плоскости габитуса.  [38]

Фазам пластинчатых эвтектик присуща тенденция к предпочтительной относительной кристаллографической ориентации. Для полной ( адекватной) кристаллографической характеристики структуры необходимо задать плоскость габитуса пластины, кристаллографические плоскости каждой фазы, контактирующие на поверхности раздела, и взаимно параллельные направления в этих плоскостях. Следует задать и направление роста; при стационарной кристаллизации пластины, как правило, располагаются перпендикулярно поверхности раздела твердая фаза - расплав, так что направление роста должно лежать в плоскости раздела пластин.  [39]

Действительно, при превращениях 0i -а, и a i - 0i плоскость габитуса образующейся фазы параллельна плоскости базиса. Двойниковые дефекты при этом отсутствуют.  [40]

41 Схема, иллюстрирующая термодинамические закономерности влияния напряжений на мартенситное превращение.| Соотношение между критическим напряжением и температурой, необходимыми, чтобы вызвать мартенситное превращение в пояикристаллических образцах сплава Си - Zn - Sn при растяжении. / - нагружение. 2 - разгрузка. [41]

Положительный или отрицательный знак выражения в скобках в правой части зависит от того, являются ли приложенные напряжения напряжениями растяжения или напряжениями сжатия. Уравнение (1.38) выражает наибольший вклад напряжений сдвига при данной ориентировке образца и плоскости габитуса в величину AGS. Обычно ml m %, угол i / / близок к тт / 4, sin 2фа ( 1 cos 2i / /), поэтому первый член выражения в скобках в правой части является преобладающим. Следовательно, независимо от знака напряжений AGS является положительной величиной, напряжения обычно содействуют превращению.  [42]

При закалке на плоской полированной ( до обработки) поверхности стального образца всегда появляется рельеф, видимый невооруженным глазом. Изучение рельефа и анализ его связи с кристаллогеометрией мартенситного превращения показали, что плоскость габитуса макроскопически приблизительно инвариантна - она не искажается и не вращается в процессе превращения. Это объясняется тем, что упругие деформации, возникающие при превращении, минимальны.  [43]

Наоборот, материал будет мало склонен к ориентированному выделению гидридов, если плоскости габитуса будут ориентированы под небольшим углом к направлению действия растягивающих напряжений. Предшествующая деформация сплава путем прокатки, ковки, волочения или растяжения приводит к возникновению преимущественной ориентировки плоскостей габитуса гидридов. Если плоскости габитуса гидридов ориентированы произвольно, то гидриды вынуждены выделяться не перпендикулярно растягивающим напряжениям, а вдоль имеющихся плоскостей габитуса.  [44]

Остановимся теперь более подробно на происхождении объемного члена V2 В ( n0) F в энергии внутренних напряжений, связанной с образованием пластинчатого включения. Мы покажем, что объемная энергия обусловлена только однородной упругой деформацией включения, необходимой для когерентного сопряжения включения и недеформированной матрицы в плоскости габитуса.  [45]



Страницы:      1    2    3    4