Плоскость - двойникование
Cтраница 1
Плоскости двойникования обычно совпадают с плоскостями скольжения. [1]
 |
Строение поверхности разрушения в стали ЗОХ2НМФА.| Электронная микрофотография на просвет дислокационной. [2] |
Плоскость двойникования как бы зеркально отображает расположение атомов по обе ее стороны. Скорость двойникования соизмерима со скоростью звука в металле. На рис. 2.29 представлены два двойника, рассекшие ферритное зерно в техническом железе и столкнувшиеся с границей зерна. Видно, что двойниковые пластинки вызвали даже искривление границы зерна. [3]
Плоскость двойникования и направление двойникования, удовлетворяющие критерию Боулза - Маккензи, совпадают с предполагаемыми элементами механического двойникования. Более примечательным примером является мартенситное превращение в сплавах золото - кадмий; как установлено, конечная фаза в этом случае представляет собой пакет тонких двойников с плоскостью двойникования типа 111 ромбической решетки, а направление двойникования, как и предсказывает кристаллографическая теория, является иррациональным. Как уже указывалось, самые простые предположения относительно S в ряде мар-тенситных превращений приводят к весьма хорошему совпадению между, теоретическими и экспериментальными данными, в других же случаях это не так. Изменение теоретических результатов можно получить, либо меняя элементы S, либо отказываясь от условия, что полное изменение формы является деформацией с инвариантной плоскостью. [4]
 |
Корреляционная связь между напряжением двойникования и энергией дефекта упаковки для сплавов на основе Си. [5] |
Плоскостями двойникования являются плоскости 111, т.е. плоскости наибольшей упаковки. [6]
Двойники, у к-рых плоскость двойникования совпадает с плоскостью кристаллической решетки и характеризуется индексами, представляющими собой целые и малые числа, а ось осн. [7]
На образцах с большой протяженностью вдоль плоскости двойникования удалось образовать и удержать в равновесии двойник, оба конца которого находятся внутри кристалла. При этом положительные и отрицательные дислокации находятся по разные стороны от места их зарождения. [9]
Определенную роль здесь может сыграть сверхпроводимость плоскостей двойникования, которая должна способствовать росту Тк. Но, по-видимому, более существенным следствием увеличения суммарной площади границ раздела под нагрузкой может явиться возрастание критического тока / к. [10]
Вдоль оси ленты проходит одна или несколько плоскостей двойникования. [11]
В полисинтетических двойниках картина двойникования повторяется, а плоскостей двойникования имеется несколько. [12]
 |
Определение идентичных плоскостей в двойнике. [13] |
Задача решается поворотом кристалла в положение, симметричное относительно плоскости двойникования. [14]
На фигуре показано также направление движения атомов при перемещении плоскости двойникования. Плоскость двойникования рассекает данную фигуру вдоль пунктирной линии. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5