Дефектная плоскость
Cтраница 1
Дефектная плоскость в кристалле является такой плоскостью, вдоль которой одна часть кристалла смещена относительно другой на величину R, не являющуюся трансляционным вектором кристаллической структуры. [1]
Юлфса и Берга, число таких цепей невелико, вследствие чего наблюдается явление так называемых дефектных плоскостей. [3]
Целью настоящей работы является установление корреляции между морфологией частиц катализатора и, в частности, между относительной долей дефектных плоскостей ( числом центров В5), с одной стороны, и различиями в каталитической активности и селективности, с другой. Для этого мы провели сравнительное изучение ряда сорбционных процессов ( адсорбции N2, СО и С02) и каталитических реакций ( обмена и дейтерирования бензола) на пяти катализаторах никель на аэросиле, существенно различающихся средними размерами частиц, распределением частиц по размерам и числом центров В6 на поверхности. [4]
Измерение интенсивности полос поглощения адсорбированного азота позволяет количественно определить число центров В5, а значит, и относительный вклад дефектных плоскостей в величину удельной поверхности металла. [5]
Если дефект упаковки является наклонной плоскостью, то величина и изменяется линейно с изменением координаты х, измеряемой в направлении, перпендикулярном линии пересечения дефектной плоскости с поверхностью фольги. Наличие такого дефекта приводит к появлению контуров, параллельных линии пересечения дефекта с фольгой, интенсивность которых пропорциональна квадрату косинуса. [6]
Эти центры ВБ превалируют на мелких кристаллитах ( - 15 d - 70 А), поскольку поверхность последних состоит, в основном, из дефектных плоскостей кристаллов ( 110) и ( 113), на которых расположены эти центры. [7]
 |
Образование и устранение. [8] |
На рис. 1.31, а в центре видны три зародыша золота до коалесценции. Сразу после коалесценции образуется дефект упаковки Рг ( дефект FZ существовал в одном из зародышей), представляющий собой изогнутый дефект упаковки с тупым углом между двумя дефектными плоскостями. Большая часть дефектов упаковки в осадке золота на MoS2 устраняется со временем по мере покрытия поверхности подложки. Плотность дефектов упаковки проходит через максимум ( 2 - Ю10 см-2) приблизительно при 50 % - ном покрытии подложки. [9]
На нижней же поверхности контуры дополнительны. Все это позволяет различить верхний и нижний концы дефектной плоскости. [10]
Стеклянный шар или цилиндр размягчается в пламени, а затем зажимается в щипцах, на которых укреплены обугленные доски. При этом изделие сплющивается, и если, поддувая внутрь изделия воздух, непрерывно двигать обрабатываемый объект между досками, можно получить хорошие стеклянные плоскости. Доски в щипцах должны быть укреплены параллельно друг другу на нужном расстоянии. Если в процессе изготовления на какой-либо из стеклянных плоскостей получились изъяны, то они устраняются путем повторного разогревания дефектной плоскости и выравнивания ее на доске так же, как выравнивается плоское дно. Отжиг является обязательной заключительной стадией при изготовлении плоских поверхностей. [11]
Стеклянный тар или цилиндр размягчается в нламеии, а затем зажимается в щипцах, на которых укреплены обугленные доски. При этом изделие сплющивается, и если, поддувая внутрь изделия воздух, непрерывно двигать обрабатываемый объект между досками, можно получить хорошие стеклянные плоскости. Доски в щипцах должны быть укреплены параллельно друг другу на нужном расстоянии. Если в процессе изготовления на какой-либо из стеклянных плоскостей получились изъяны, то они устраняются путем повторного разогревания дефектной плоскости и выравнивания ее на доске так же, как выравнивается плоское дно. Отжиг является обязательной заключительной стадией при изготовлении плоских поверхностей. [12]
 |
Фотодимеризация аце-нафтилена в транс-цимерную форму под действием ультрафиолетового излучения. [13] |
Есть основания предполагать, что при достаточной интенсивности потока фотонов вдоль линий дислокации будут возникать димерные кластеры различных размеров. Как указывают Поуп и Калман [312], такие кластеры физических димеров ( или предимеров) различной величины могут составить значительную часть собственных ловушек в органических кристаллах. Более того, глубины этих ловушек будут коррелировать с размерами кластеров, создавая квазиэкспоненциальное распределение глубин ловушек. Такая мысль развита в недавней работе Паркинсона ( Parkinson G. Следует отметить, что наши знания о несовершенствах в кристаллах, особенно о планарных дефектах, еще недостаточны. Недавно появилось сообщение [299], в котором идентифицирован планарный дефект в плоскости ( 001), возникающий, если часть кристалла, находящаяся над данной дефектной плоскостью, поворачивается на большой угол до совмещения решетки с верхней плоскостью нижней половины кристалла. Кроме того, в настоящее время убедительно доказано [300], что новая триклинная фаза кристалла антрацена может сосуществовать ( в качестве объемного дефекта) со стабильной моноклинной формой, если образцы последней подвергаются напряжению сдвига. Оба этих вида дефектов, концентрации которых зависят от условий предварительной обработки, могут влиять на экситонные и электронные свойства антрацена и многих других молекулярных кристаллов, в которых они, несомненно, образуются. [14]
Страницы: 1