Cтраница 4
При определении емкости проводников, расположенных вблизи проводящей плоскости, используют метод зеркальных изображений. При расчете потенциала по этому методу учитывают заряды основных проводников и фиктивных, являющихся зеркальным изображением основных относительно поверхности раздела диэлектрик - проводящая плоскость. Заряд фиктивного проводника при этом берется обратным по отношению к основному. [46]
Обосновать закон отражения переменных токов в идеально проводящей плоскости, согласно которому электромагнитное поле, созданное системой протекающих над плоскостью токов, в любой точке над плоскостью совпадает с полем, которое было бы создано в этой же точке при отсутствии идеально проводящей плоскости системой токов, образуемых следующим образом. К исходной системе токов присоединяется ее зеркальное отражение относительно рассматриваемой плоскости. Затем направление токов в отраженной системе меняется на обратное. [47]
Длинный провод с током / пересекает проводящую плоскость в пер пендикулярном ей направлении. Ток, уходящий на плоскость, равен / Определите распределение магнитного поля в этой системе. [48]
Длинный провод с током / пересекает проводящую плоскость в перпендикулярном ей направлении. [49]
Сила притяжения между точечным зарядом и проводящей плоскостью определяется как сила притяжения между точечным зарядом и его зеркальным изображением, находящимися в диэлектрической среде на расстоянии, вдвое большем расстояния от точечного заряда до проводящей плоскости. [50]
Электромагнитное поле (10.4) в пространстве между проводящими плоскостями носит волновой характер при любом значении частоты колебаний поля источника. [51]