Отражающая плоскость

Cтраница 3

Первичный пучок образует угол f с отражающими плоскостями. Выведение кристалла в отражающее положение производят с помощью счетчика, располагающегося за фотопластинкой. [31]

На конце мостика установлено зеркало, обе отражающие плоскости которого строго параллельны. Ось опор коленчатого вала принимают за базу и от нее измеряют отклонения осей цилиндров от прямого угла. [32]

Наличие не двух, а огромного множества отражающих плоскостей скажется точно так же, как и наличие не двух, но множества щелей дифракционной решетки: максимумы останутся на своих местах, но станут значительно более острыми. [33]

Для получения хорошего контраста следует в качестве отражающих плоскостей выбирать те, для которых максимальна структурная амплитуда. [34]

По существу, поверхность адсорбента рассматривают как отражающую плоскость. При выводе изотермы адсорбции находится вероятность W расстояния между концами статистической цепи в растворе и на поверхности в предположении, что поверхность действует как отражающий барьер. Допустим, что всегда сначала адсорбируется первый сегмент цепи. [35]

Это условие эквивалентно отражениям от двух противоположных сторон отражающей плоскости. [36]

Излучатель Черепкова для субмиллиметровых волн.| Лучевой волновод для субмиллиметровых волн.| Измерительная линия для волны 2 мм.| Измеритель к. о. для волны 2 мм. [37]

Отрезок линяй длиной Я / 2 с помощью отражающих плоскостей по концам превращается в резонатор ( с волной типа НЕц), параметры которого измеряются. [38]

Схема косой съемки на плоскую пленку для определения напряжений, действующих в заданном направлении.| Схема определения / напряжений, действующих в заданном направлении, на ионизационной установке. [39]

На рис. 64 показана схема съемки и расположения отражающих плоскостей, а также рентгенограммы. [40]

Как определяют индексы h, k, I отражающих плоскостей в кристаллическом пространстве. [41]

Индицирование может оказаться неправильным, если ось зоны отражающих плоскостей не является осью симметрии четного порядка в кристаллической решетке. Дело в том, что ОР всегда имеет центр инверсии и поэтому любое ее сечение, включающее узел 000, имеет ось симметрии четного порядка. Поэтому в тех случаях, когда найденная в описанном выше предварительном анализе ось зоны не является осью симметрии второго или четвертого порядка, требуется дополнительная информация для устранения этой, так называемой 180 -ной неопределенности. В принципе устранение неопределенности требует рассмотрения пространственного расположения узлов ОР и согласованного индицирования двух разных сечений ОР кристалла. Для проверки индицирования выбирают наиболее сильный рефлекс второй зоны § 2 и один из рефлексов gi первой зоны так, чтобы векторы gi и g2 имели противоположные направления. [42]

Удовлетворительное совпадение величины I для расположенных различным образом отражающих плоскостей первичных кристаллов свидетельствует о том, что форма первичных частиц близка к кубической, и, следовательно, применение формулы Шеррера оправдано. [43]

В общем случае дифракции плоской волны на монокристаллической пластине отражающие плоскости наклонены к рабочим поверхностям ( рис. 8.2) и углы скольжения к ним падающего / ( прошедшего Т) и отраженного R пучков различны. Штриховая линия указывает направление отражающих плоскостей. Однако из-за значительного фотоэлектрического поглощения дифрагированной волны применение последнего ограничено областью длин волн менее 0.2 им: Для многослойных молекулярных структур, очевидно, возможна только симметричная дифракция на отражение. [44]

К задаче 6. [45]

Страницы: 1 2 3 4