Cтраница 2
Заменим плоскость Я2 на новую плоскость Я4, перпендикулярную к Яь и спроектируем данные точки А, В к С на эту плоскость, обозначив полученные проекции соответственно через At, В4 и С4 ( черт. [16]
Кроме рассмотренного выше способа построения новых плоскостей, существуют и другие способы; обсуждать их здесь мы не будем. [17]
При замене плоскости IJi на новую плоскость Я4 остаются неизменными. [18]
Рост спирали на грани 100 кристалла сахарозы. [19] |
Каждое полное вращение спирали накладывает новую плоскость решетки на поверхности. [20]
Заменяя одну из плоскостей проекций новой плоскостью, параллельной отрезку прямой, можно определить его длину и угол наклона к другой плоскости проекций. [21]
Образование дислокации Ломер - Коттрелла при встрече растянутых дислокаций в пересекающихся плоскостях скольжения. [22] |
Движение дислокации и пластическая деформация по новой плоскости ( ill) могут быть облегчены, так как открываются возможности при образовании петли ( см. рис. 39, г) для генерации источника Франка - Рида. Различие в ширине расщепленных дислокаций и соответственно в склонности к поперечному скольжению у разных металлов и сплавов играет очень важную роль в формировании дислокационной структуры ( ячеистой структуры, см. гл. [23]
Однако понижение электронной энергии при появлении новых плоскостей разрыва часто оказывается существенным. Именно этим объясняется само существование полуметаллов Bi, Sb и As, а также существование металлических сплавов с очень сложными структурами, имеющими много атомов в элементарной ячейке. Кроме того в анизотропных средах были обнаружены волны зарядовой и спиновой плотности, образование которых сопровождается фазовыми переходами. Все это вместе превратилось в отдельное направление в физике твердого тела, которое находится вне рамок данного курса. [24]
Заменим фронтальную плоскость проекций П2 па новую плоскость П2, параллельную прямой АВ. [25]
Заменим фронтальную плоскость проекций Ш на новую плоскость Щ, параллельную прямой АВ. [26]
Источник Франка-Рида. [27] |
Скольжение в кристалле последовательно происходит по новым плоскостям; для его поддержания необходимо повышать напряжение. [28]
В [221] показано, что вследствие появления новых плоскостей, преимущественно с низкими индексами: ( 311), ( 210) и др. - возрастает количество активных центров В5, которое было сопоставлено с каталитической активностью на большом числе примеров, известных из литературы. [30]