Геометрическая плоскость

Cтраница 3

Полярность направлений 111 и различие между плоскостями ( 111) и ( ill) показаны на рис. 1.26. Кристаллографическая плоскость ( 111) состоит из двух геометрических плоскостей, каждая из которых содержит атомы только одного вида, в результате чего на внешнюю поверхность кристаллографических плоскостей выходят атомы А либо В. Плоскости, на внешнюю поверхность которых выходят атомы А, условно называют поверхностями А; а плоскости, на внешнюю поверхность которых выходят атомы В, - поверхностями В. Соответственно направления 111 называют направлениями А, а направления 111-направлениями В. Идентификация А и В поверхностей может быть осуществлена методом рентгеновской дифракции. [31]

Обычная же геометрическая плоскость с выбранной на ней системой координат называется координатной плоскостью. Вы хорошо знаете, что на одной и той же плоскости можно многими способами выбрать систему координат и, значит, многими способами изображать точки числовой плоскости, которая сама по себе при этом не меняется - она остается просто множеством пар действительных чисел. [32]

Влияние отношения вязкостен на нефтеотдачу однородного пласта не ограничивается приведенной выше зависимостью ( рис. 25), построенной в предположении, что фронт вытеснения продвигается равномерно от галереи к галерее. Реальный фронт вытеснения не может представлять собой геометрической плоскости, и на нем неизбежно возникают малые искажения. Если эти искажения по мере перемещения фронта не возрастают, фронт называется устойчивым, если же они неограниченно разрастаются - неустойчивым. [33]

Закись меди является уникальным окислом, так как она имеет объемноцентрированную анионную решетку с катионами, расположенными по углам тетраэдра вокруг анионов. Половина отрицательных кислородных ионов выступает над геометрической плоскостью, в которой расположены ионы одновалентной меди, а другая половина утоплена под этой плоскостью. Стоун высказал предположение, что при температуре 200, при которой Винтер производил обезгаживание образца окисла, некоторая часть ионов кислорода переходит из утопленного положения в выступающее и, таким образом, располагается благоприятно для реакции обмена с атомами газовой фазы. Кроме того, едва ли между такими выступающими ионами кислорода и адсорбированным кислородом существует четкое различие. [34]

Например, если зависимая плоская поверхность должна находиться на расстоянии 60 0 4 мм от базовой ( рис. 238, б), то в любом месте расстояние между ними должно быть не больше 60 мм и не меньше 59 6 мм. Следовательно, предельное отклонение формы зависимой поверхности от геометрической плоскости задано отклонением линейного размера ( - 0 4) и может колебаться в пределах тех же 0 4 мм. Если такой предел удовлетворяет требованиям, предъявляемым к качеству изделия, то обусловливать дополнительно предельные отклонения формы не требуется. [35]

При изучении поверхностных явлений часто бывает удобно рассматривать поверхностный слой как отдельную фазу, занимающую небольшой объем между двумя изучаемыми макроскопическими фазами, например металлом и раствором. Будем называть эту область поверхностной фазой в отличие от поверхности раздела, которая представляет собой геометрическую плоскость, выбранную произвольно между двумя фазами, обычно внутри или на границе поверхностной фазы. Тогда каждой частице в поверхностной фазе можно приписать химический или электрохимический потенциал и процесс адсорбции может - быть рассмотрен достаточно строго [66] на основе изотермы Гиббса. [36]

Скорости точек тела, лежащих вдоль ОК, направлены перпендикулярно к OZ, и точки эти вращаются с указанной постоянной угловой скоростью. Эту угловую скорость, разумеется, следует отличать от той переменной скорости, с которою геометрическая плоскость ZOI вращается вокруг оси OZ. Так как неизменяемая прямая OZ всегда перпендикулярна ко всем последовательным положениям ОК в теле, то геометрическое место прямых ОК в теле есть конус, взаимный инвариантному конусу. [37]

Узлы сетки стереографического треугольника, изображающие нормали граней полиэдрических форм роста алмаза ( 14 [ ПО ]. [38]

Формирование алмазного габитуса зависит от концентрации свободных радикалов Nг на поверхности алмаза. Последняя минимальная для атомно-чистых сингулярных граней ( 100), 110 и 111, атомы которых с точностью до сверхструктурных эффектов второго порядка принадлежат одной геометрической плоскости. Повышенными значениями N, характеризуются квазисипгуляриыс грани переменных форм роста ( 210), ( 211), ( 221), ( 321), поверхностная структура которых образована атомами, не принадлежащими одной геометрической плоскости. Несингулярные грани в отличие от квазисингулярных имеют развитую субструктуру, образованную атомными ступенями либо их изломами. [39]

Обычно толщиной этого слоя пренебрегают и считают, что все поверхностные источники электрических полей строго локализованы на границе раздела бислой / липид, а сама эта граница считается геометрической плоскостью. Такое допущение позволяет проводить теоретический анализ электрических явлении на основе классической теории Гун - Чепмена [431], в рамках которой структура двойного электрического слоя ( ДЭС) определяется лишь поверхностными зарядами. При этом оказывается, что поверхностные электрические диполи, если они присутствуют в системе, не влияют на эту структуру. Существует целый ряд проблем, для которых предположение о локализации источников электрических полей строго на границе раздела является слишком грубым. [40]

Обычно толщиной этого слоя пренебрегают и считают, что все поверхностные источники электрических полей строго локализованы на границе раздела бислой / липид, а сама эта граница считается геометрической плоскостью. Такое допущение позволяет проводить теоретический анализ электрических явлений на основе классической теории Гун - Чепмена [431], в рамках которой структура двойного электрического слоя ( ДЭС) определяется лишь поверхностными зарядами. При этом оказывается, что поверхностные электрические диполи, если они присутствуют в системе, не влияют на эту структуру. Существует целый ряд проблем, для которых предположение о локализации источников электрических полей строго на границе раздела является слишком грубым. [41]

Оптический метод основан на том, что протравленные в специальных травителях монокристаллические образцы отражают световые лучи в строго определенных относительно кристаллографических осей направлениях. Прямолинейный пучок света, отраженный от образца, образует на экране световую фигуру, по виду и местоположению которой можно судить о том, какая из кристаллографических плоскостей находится в наименьшем отклонении от геометрической плоскости, а также оценить величину этого отклонения. [42]

Сади Карно первый серьезно взялся за это, но не путем индукции. Он изучил паровую машину, проанализировал ее, нашел, что в ней основной процесс не выступает в чистом виде, а заслонен всякого рода побочными процессами, устранил эти безразличные для главного процесса побочные обстоятельства и сконструировал идеальную паровую машину ( или газовую машину), которую, правда, так же нельзя осуществить, как нельзя, например, осуществить геометрическую линию или геометрическую плоскость, но которая оказывает, по-своему, такие же услуги, как эти математические абстракции: она представляет рассматриваемый процесс в чистом, независимом, неискаженном виде. [43]

Карно первый понял, что анализ действия реальных тепловых ( холодильных) машин дал бы мало полезного. Энгельс писал: Он изучил паровую машину, проанализировал ее, нашел, что в ней основной процесс не выступает в чистом виде, а заслонен всякого рода побочными процессами, устранил эти безразличные для главного процесса побочные обстоятельства и сконструировал идеальную паровую машину ( или газовую машину), которую, правда, так же нельзя осуществить, как нельзя, например, осуществить геометрическую линию или геометрическую плоскость, но которая оказывает, по-своему, та кие же услуги, как эти математические абстракции: она представляет рассматриваемый процесс в чистом, независимом, неискаженном виде ( [18], стр. [44]

Тем не менее, конические со-чения не должны быть исключены из геометрии. В самом деле, хотя они не описываются геометрически на плоскости, но порождаются на плоской поверхности геометрического тела. Конус образуется геометрически и пересекается геометрической плоскостью. Получающийся при этом сегмент конуса есть геометрическая фигура и занимает в телесной геометрии то же место, какое сегмент круга в плоской геометрии; значит, основание этого конического сегмента, называемое коническим сечением, есть геометрическая фигура. [45]

Страницы: 1 2 3 4