Cтраница 3
Линейные нарушения чередования атомных плоскостей в кристаллической решетке твердых тел - дислокации ( в переводе с греческого языка - смещение) приводят к возникновению дополнительных концентраций сжимающих и растягивающих напряжений и, как следствие, к существенному изменению прочности твердых тел. На рис. 3.11 показано, что с увеличением плотности р дислокаций в материале модуль Юнга Е резко уменьшается и после перехода через некоторый минимум несколько повышается за счет выхода дислокаций на границы зерен или поверхность и за счет их взаимного наложения и компенсации. [31]
Для определения положения атомных плоскостей ( проходящих через атомы) в кристаллических пространственных решетках пользуются индексами ( / г / г /), представляющими собой три целых рациональных числа, являющихся величинами, обратными отрезкам осей, отсекаемым данной плоскостью на осях координат. Единицы длины вдоль осей выбирают равными длинам ребер элементарной ячейки. [32]
При установлении индексов данной атомной плоскости или семейства параллельных ей атомных плоскостей необходимо найти отрез ки, отсекаемые шюскоотш на оинх координат, взять обратные численные значения этих отрезков и привести их к отношению трех взаимно простых чисел. [33]
При установлении индексов данной атомной плоскости или семейства параллельных ей атомных плоскостей необходимо найти отрезки, отсекаемые плоскостью на осях координат, взять обратные численные значения этих отрезков и привести их к отношению трех взаимно простых чисел. [34]
Цепочка вакансий прерывает атомную плоскость, но не создает экстраплоскости. [35]
Определить расстояние между атомными плоскостями в кристалле каменной соли, если дифракционный максимум первого порядка наблюдается при падении рентгеновских лучей с длиной волны 0 147 нм под углом 15 12 к поверхности кристалла. [36]
Расстояние d между атомными плоскостями в кристалле поваренной соли равно 0 281 нм. [37]
Границы зерен, разориентированных под большими углами. - 1203. [38] |
Многие структурные дефекты представляют собой атомные плоскости или чаще поверхности, поскольку дефекты не обязательно должны лежать в плоскости. [39]
К выводу основного уравнения дифракции. Отражение лучей от двух смежных плоскостей. [40] |
Возьмем одну из таких атомных плоскостей и вообразим себе, что на нее падает под углом & рентгеновский луч. [41]
Схемы возникновения дефектов в кристаллах. [42] |
При таком механизме застройки атомных плоскостей скорость роста кристалла должна быть очень малой. В опыте же по выращиванию кристаллов из паров с пересыщением всего в 1 % была обнаружена скорость роста кристалла в Ю1000 раз больше рассчитанной теоретически. [43]
Пусть граница содержит N атомных плоскостей, расстояние между которыми равно а, где а - постоянная решетки. [44]
Схема интерференции лучей в кристалле.| Схема получения лауэ-граммы.| Схема получения рентгенограммы вращения. 1 - первичный пучок. 2 - вращающийся образец. S - фотопленка. [45] |