Плотность - заполнение
Cтраница 2
При D DKp плотность заполнения пространства в образовавшемся фрактале зависит от RKp. На основе обнаруженных эффектов при кристаллизации сделан вывод о возможности создания управляемой самосборки материалов. [16]
 |
Схематическое изображение двух типов плотнейших упаковок.| Часть элементарной ячейки гексагонального типа. [17] |
В обоих случаях плотность заполнения пространства одинакова - 74 05 %, одинаково координационное число шаров-12, однако симметрия в расположении шаров различна, что и приводит к различию в свойствах кристаллов при прочих равных условиях. [18]
Размерность задач, плотность заполнения матриц и данные о числе итераций и времени решения приведены в таблице 4.4.1. Задача с 15 блоками имела подматрицы Bi, содержащие более 50 % ненулевых элементов. Векторы bt в правых частях выбирались так, чтобы обеспечить существование решений для блоков. [19]
 |
Модели возникновения внезапных отказов. [20] |
Они имеют некоторую плотность заполнения пространства которая и определяет вероятность столкновения. [21]
 |
Пути образования стекол и керамических материалов. [22] |
При D DKp плотность заполнения пространства в образовавшемся фрактале зависит от RKp. На основе обнаруженных эффектов при кристаллизации сделан вывод о возможности создания управляемой самосборки материалов. [23]
Для невырожденного газа плотность заполнения зоны проводимости электронами настолько мала, что на их поведении практически не сказывается принцип Паули. Электроны являются полностью свободными в том смысле, что на движение любого из них другие не оказывают заметного влияния. Поэтому все электроны проводимости невырожденного газа принимают независимое друг от друга участие в создании электрического тока и в формировании электропроводности проводника. Поэтому в выражение для электропроводности невырожденного газа должно входить среднее время релаксации т всех свободных электронов, полученное путем усреднения т по всему коллективу. [24]
Температурное поле и плотность заполнения массы заготовки здесь более равномерны, следовательно, внутренние напряжения в изделии будут меньшими. [25]
С дальнейшим увеличением плотности заполнения влияние границ становится более сложным, его расчет можно производить методом переноса границ. Заключается он в следующем. На ЭВМ производится математическое моделирование исследуемого заполнения в гипотетический контейнер заданной формы. Затем производится последовательный перенос граней контейнера внутрь на заданный шаг с последующим подсчетом структурных параметров в оставшейся части контейнера. [26]
Существует конечный интервал плотностей заполнения Ар, при котором мениск исчезает внутри сосуда при Т Тт, а обе фазы переходят в микрогетерогенное состояние, частично диспергируясь друг в друге. В области Тт Т Тс это состояние вполне устойчиво и воспроизводимо. Оно и является причиной уплощения бинодали. Критическая опалесценция также вызывается, хотя бы отчасти, этими дисперсными каплями, а не только флюктуациями. [27]
Коэффициент & 0зависит от плотности заполнения и конструкции оплетки, шага ее наложения и типа проволок, из которых изготовлена оплетка. [28]
 |
Слой шаров, плотно прилегающих друг к другу.| Способы укладки шаров. [29] |
Хотя в обоих случаях плотность заполнения пространства шарами ( 74 05 %) и координационное число шаров ( 12) одинаковы, симметрия шаров различна, что обусловливает и различные свойства построенных указанными способами кристаллов. Остающаяся часть пространства ( 25 95 %) представляет собой пустоты между шарами. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5