Cтраница 1
Схема измерительной установки в кулонометрическом методе. [1] |
Плотность заряда электрода изменяется за весьма малый промежуток времени ( 0 1 - 1 мкс), за это время достигается r mai, после чего перенапряжение постепенно падает до нуля. [2]
Если плотность заряда электрода отнесена к 1 см2, то и емкость относится к 1 см2 поверхности. [3]
Зависимость плотности заряда ртутного электрода от потенциала в 0 1 М растворах. [4] |
Типичный вид зависимости плотности заряда электрода от потенциала приведен на рис. 3.9. Точка, в которой эта зависимость пересекает ось абсцисс, представляет собой потенциал нулевого заряда электрода. [5]
Кулоностатический метод. Схема измерительной установки. [6] |
Принцип их сводится к тому, что плотность заряда электрода р, первоначально соответствующая равновесному потенциалу фр, резко изменяется при разомкнутой цепи. В итоге изменения Ар потенциал электрода сначала сдвигается относительно фр, но по мере протекания электрохимической реакции вновь приходит к первоначальному равновесному значению. При осуществлении метода после сообщения электроду определенного заряда наблюдают за изменением ц во времени и по ц-т-кривым рассчитывают 7 ( р и а. [7]
Схема установки для гальваностатических измерений. [8] |
Принцип их сводится к тому, что плотность заряда электрода р, первоначально соответствующая равновесному потенциалу ФР, резко изменяется при разомкнутой цепи. [9]
Согласно ( 14) величина С оказывается симметрично возрастающей при увеличении плотности заряда электрода. [10]
Потенциометр 3 компенсирует значение срр так, что на входе усилителя до изменения плотности заряда электрода напряжение равно нулю. Значение т ] регистрируется с помощью катодного осциллографа. [11]
Потенциометр 3 компенсирует значение фр так, что на входе усилителя 4 до изменения плотности заряда электрода напряжение равно нулю. [12]
Конденсатор С переключают с батареи на ячейку с помощью реле, которое одновременно включает развертку осциллографа. Плотность заряда электрода изменяется за весьма малый промежуток времени ( 0 1 - 1 мксек), за это время достигается r ] max, после чего перенапряжение постепенно падает до нуля. [13]
Принцип метода модуляционной спектроскопии отражения основан на том, что отражение света от поверхности металла связано с состоянием его поверхностной электронной плазмы. Последнее в свою очередь зависит от плотности заряда электрода q и от донорно-акцепторного взаимодействия частиц адсорбата с металлом. Таким образом, величина AR / R позволяет характеризовать как наличие на поверхности электрода молекул органического вещества, адсорбция которых изменяет q, так и наличие или отсутствие специфического, донорно-акцепторного взаимодействия адсорбированных молекул с поверхностью металла. [14]
Двойной электрический слой образуется электрическими зарядами, находящимися на металле, и ионами, несущими заряд противоположного знака, расположенными в растворе электролита вплотную к поверхности металла. Образующийся двойной слой подобен плоскому конденсатору, расстояние между обкладками которого определяется величиной радиусов ионов. Гельмгольцем, справедлива только при больших концентрациях растворов электролитов и больших величинах плотности заряда электрода. В большинстве реализуемых случаев строение двойного слоя отличается от описанного. [15]