Cтраница 1
Плотность атома крайне мала. [1]
Плотность атомов Аг равна N 1 07 - 10 см -, а средняя длина свободного пробега / 1 / Мтулр 467 мкм. [2]
Определим плотность атомов в выбранном возбужденном состоянии. Пусть т - эффективное время жизни возбужденных атомов, которое определяется как уходом атомов на стенки, так и излучением, свободно выходящим за пределы положительного столба. [3]
Тогда плотность атомов N Na / V 6 27 - 10 атомов Не / см, где Na - число Авогадро. [4]
ЭПИН-электронная плотность изоэлектронного атома инертного газа; ОС-величина, пропорциональная ЭО атома. Если использовать ковалентные радиусы, то уравнение (2.14) дает ковалентные значения эле -: троотрицательностей атома. Если же в это уравнение подставить ЭПИН и ОС для соответствующих ионов ( метод Сандерсэна позволяет их вычислять из ковалентных значений без привлечения каких-либо геометрических характеристик), то оказалось, что формула Сандерсэна дает размеры ишных радиусов, которые вполне удовлетворительно согласуются с эмпирическими значениями ионных радиусов. [5]
При плотностях атомов во фронте УВ, значительно превышающих плотность окружающего атмосферного воздуха, и при ио-низациях близких к полной однократной плазменная частота приближается к частоте излучений неодимового лазера 3 1014 Hz, и следовательно, фронт УВ действует как отражатель для воздействующего лазерного излучения, изменяя направление его распространения. Отраженное излучение не обладает достаточной интенсивностью для испарения невозмущенного материала покрытия. Однако в покрытии распространяются температурные возмущения, приводящие к возникновению температурных напряжений. У металлов В напряженных состояниях возрастает коэффициент поглощения излучениями. Испарение покрытия локализуется на участках с максимальной амплитудой термомеханических напряжений. Дальность распространения ППС вблизи линии гравировки 10 - 15 мкм соответствует дальности распространения тепловых возмущений в пленке по теплопроводностному механизму. Остается под вопросом причина устойчивой квазипериодичности структур. Наиболее вероятным представляется возникновение автоколебаний с периодом порядка или несколько менее 10 не при взаимодействии плазмы на фронте УВ с лазерным излучением. Последнее приводит к высокоамплитудной модуляции отражательной способности УВ на длине волны 1 06 мкм с частотой автоколебаний. [6]
Теперь увеличим плотность атомов в ансамбле так, чтобы выполнялось обратное неравенство: трел тр. Это означает, что спонтанно излучающие атомы находятся в поле спонтанного излучения других атомов. При этом, очевидно, нельзя выделить один атом из ансамбля и его излучение из излучения ансамбля в целом. Действительно, все атомы в ансамбле взаимодействуют друг с другом через поле их собственного спонтанного излучения. Процесс излучения таким ансамблем принято называть кооперативным процессом. [7]
РО - плотность атомов ( р - - N / V, причем N - полное число активных атомов в резонаторе, а V - объем резонатора), ос - полуширина гауссова распределения. [8]
Согласно дифракционным данным плотность атомов в этих веществах близка к 6 - Ю22 см-3. Для того чтобы вещество с такой гигантской концентрацией электронов было изолятором, нужно поместить электроны в глубокие потенциальные ямы - ловушки. В интерметаллидных бинарных расплавах ловушками были конфигурации (7.2), в квазикристаллах - высокосимметричные конфигурации рис. 7.10, в которых имеется примерно 90 уровней для бывших валентных электронов. Покинуть ловушку при благоприятных обстоятельствах могут 1 - 2 электрона с верхних уровней. Поэтому электронная концентрация изначально понижается на 2 порядка, после чего уже можно оперировать более или менее стандартными моделями переходов металл-изолятор. [9]
В этом случае плотность атомов тория на поверхности уменьшается, а взаимодействие Th - W усиливается. [10]
Какой будет матрица плотности атома после того, как зарегистрировано n - фотонное состояние поля. [11]
Ne, Nf - плотность атомов, электронов и ионов соответственно, & ион - константа скорости ступенчатой ионизации, а - коэффициент тройной рекомбинации. [12]
Здесь N а - плотность атомов в основном состоянии, & ион - константа скорости ступенчатой ионизации атомов в основном состоянии, SJrl - частота ухода электронов на стенки. [13]
Это означает, что плотность атомов в ансамбле и его размеры ограничены сверху так, что за время трел не происходит соударений атомов и, тем самым, не возникает дефазировки их волновых функций. [14]
Как правило, чем больше ретикулярная плотность атомов вдоль сопрягающихся направлений в решетке металла, тем чаще встречаются соответствующие ориентировки. Наиболее часто наблюдаемые ориентации во всех случаях определяются двумя направлениями с максимальной ретикулярной плотностью, которые удовлетворяют условию взаимной параллельности с соответствующими рядами в плоскости подложки. [15]