Плотность - кристалл
Cтраница 2
Найти плотность кристалла неона ( при 20 К), если известно, что решетка гранецентрированная кубической сингонии. [16]
Какова плотность кристалла стронция, если известно, что решетка гранецентрированная кубической сингонии, а расстояние между ближайшими соседними атомами d0 43 нм. [17]
Найти плотность кристалла гелия ( при 2 К), который представляет собой гексагональную структуру с плотной упаковкой. Постоянная решетки, определенная при той же температуре, а0 357 нм. [18]
Спектр плотности кристалла в пространстве Фурье характеризуется трехмерной модулированной периодической функцией. Описание и анализ этой функции, так же как и периодической структуры кристалла, требуют владения языком структурной кристаллографии и знания теории симметрии кристаллов. [19]
Определение плотности кристалла и параметров его решетки дает надежное значение молекулярного веса содержимого элементарной ячейки. Обычно этот молекулярный вес можно прямо связать с молекулярным весом простой молекулы кристаллизуемого вещества. [20]
Икрист - плотность кристаллов; г - радиус мелкого кристалла. [21]
Как изменяется плотность кристаллов в том же направлении. [22]
Икрист - плотность кристаллов; г - радиус мелкого кристалла. [23]
Здесь р02 - плотность кристаллов; kF, ka - поверхностный и объемный факторы формы соответственно. [24]
При а1 ( плотность кристалла меньше плотности расплава) высота кристалла увеличивается от затравки к концу кристалла; при а1 - высота кристалла уменьшается в том же направлении. Перенос массы происходит благодаря разности высот расплавленной и затвердевающей частей твердой фазы. [25]
Наличие дислокаций снижает плотность кристалла, увеличивает внутреннее трение и уменьшает значения упругих модулей. Механическая прочность твердых тел зависит от дислокаций. [26]
Из наблюдений увеличения плотности кристаллов с возрастанием их толщины ( Sharma, см. [53]), также можно было заключить, что вся аморфная компонента сконцентрирована на поверхности ламелей. [27]
Указанные изменения толщины и плотности кристаллов вызваны, по мнению упомянутых авторов, образованием дефектов по Шоттки, концентрация которых достигает величины порядка 1 2 - 1018 см - А. Параллельные измерения среднего значения концентрации F - центров в облученных образцах, проведенные при помощи известных оптических методов и вычисленные по формуле Смакулы, дали величину порядка 5.101 7слг - 3, которая меньше концентрации образованных под действием излучения дефектов по Шоттки. Такое расхождение, по-видимому, связано с одновременным обесцвечивающим действием рентгеновых лучей, вследствие чего полное заполнение вакантных уровней становится невозможным. [28]
 |
Дефект по Шоттки. [29] |
Образование дефектов по Шоттки уменьшает плотность кристалла из-за увеличения его объема при постоянной массе. При образовании дефектов по Френкелю плотность остается неизменной, так как объем кристалла не изменяется. Измерения плотности свидетельствуют о том, что, например, для чистых щелочно-галоид-ных кристаллов доминирующими дефектами являются дефекты по Шоттки, а для чистых кристаллов галогенидов серебра - дефекты по Френкелю. [30]
Страницы: 1 2 3 4