Плотность - носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Подключение фотосопротивления к измерительной схеме. [1] |
Плотность носителей заряда без излучения п зависит от температуры. [2]
На рис. 4.12 показано распределение плотности носителей заряда в базе дрейфового транзистора, рассчитанное по приведенному соотношению для различных градиентов концентрации примеси при одной и той же плотности дырочного тока Jp. Случай т ] 0 соответствует транзистору с постоянной концентрацией примеси4 в базе. При увеличении коэффициента поля 1 ] электрическое поле в базе и дрейфовая составляющая тока возрастают. Следовательно, диффузионная составляющая тока и градиент концентрации носителей заряда должны уменьшаться, что и видно из графика. При т ] 8 ток у эмиттерного перехода определяется в основном дрейфом носителей заряда и градиент их концентрации в этой области практически равен нулю. По мере приближения к коллекторному переходу концентрация носителей заряда и дрейфовая составляющая тока уменьшаются, а градиент концентрации носителей заряда и диффузионная составляющая тока возрастают. Непосредственно у коллекторного перехода дрейфовая составляющая тока равна нулю и ток является чисто диффузионным. [3]
 |
Схематическое изображение зависимости скорости электронов от поля в кремнии. [4] |
Иная ситуация в полупроводнике, где плотность носителей заряда может быть значительно меньше, чем в металле. В этом случае теплопроводность осуществляется преимущественно через фононы. Из этого следует, что, если кристалл располагается на подложке, обеспечивающей эффективный отвод тепла, решетка может оставаться относительно холодной, несмотря на то что носители заряда могут получать значительную кинетическую энергию от электрического поля. [5]
Модуляционный ш у м, обусловленный флуктуациями плотности носителей заряда или флуктуациями тока, возникающими вследствие модуляц. [6]
Модуляционный ш у м, обусловленный флуктуациями плотности носителей заряда или флуктуациями тока, возникающими вследствие модуляц. [7]
Из этого следует, что гальваномагнитные свойства позволяют определить плотность носителей заряда в металле. [8]
 |
Зависимость электрического сопротивления от температуры для радиальной ( О и смешанной ( П структур волокон при различных температурах термообработки ( указаны на кривых. [9] |
Анализ электронных свойств позволяет судить как о характеристических свойствах собственно волокнистых материалов ( плотность носителей заряда, их подвижность, рассеяние, структура пучка и поверхность Ферми), так и о свойствах, определяемых структурой волокна. [10]
Замечательно, что действующая на движущийся заряд сила зависит не от скорости и плотности носителей заряда, а только от такой комбинации этих величин, которая определяет полный перенос заряда. Если мы имеем определенный ток, скажем 107 СГСЭ / с, или, что то же самое, 3 3 мА, то природа этого тока не имеет значения. Он может представлять собой поток электронов высокой энергии, движущихся со скоростью, составляющей 99 % от скорости света, или состоять из электронов металла, совершающих хаотическое тепловое движение со слабым наложенным на него дрейфом в одном направлении, или, наконец, он может быть создан заряженными ионами в растворе, когда положительные ионы движутся в одну сторону, а отрицательные - в другую. Кроме того, действующая на пробный заряд сила точно пропорциональна его скорости. Наш вывод ни в коей мере не ограничен малыми скоростями носителей заряда в проволоке или пробного заряда. Уравнение ( 45) является точным без всяких ограничений. [11]
Для транзисторов характерен также относительно высокий уровень собственных шумов, вызываемых тепловыми флуктуациями плотности носителей зарядов. [12]
Это есть время, необходимое для возобновления состояния нейтральности в диэлектрике после небольшого изменения плотности носителей заряда. В присутствии внешнего электрического поля в кристалл инжектируются избыточные свободные носители заряда, в результате чего увеличивается их плотность и одновременно уменьшается время пролета. [13]
Многочастичные экситонно-примесные комплексы могут служить центрами конденсации электронно-дырочной жидкости. С ростом плотности носителей заряда из-за экранирования кулоновского взаимодействия экситонный газ должен металлизоваться. [14]
Анодное падение напряжения возникает как следствие образования у анода преобладающего отрицательного пространственного заряда за счет недостатка положительных ионов. В зоне дугового столба плотности отрицательных и положительных носителей зарядов приблизительно равны между собой и разноименные заряды нейтрализуют друг друга. В области, непосредственно примыкающей к аноду, имеет место дефицит положительных ионов, так как анод их не освобождает, а образующиеся вблизи анода ионы движутся к катоду. В результате чего в этой области образуется преобладание отрицательных зарядов и, следовательно, резко повышается падение напряжения. Величина этого скачка зависит от температуры анода и от способности его испарять металл. [15]
Страницы: 1 2