Cтраница 4
Судя по химическим свойствам, плотность электронного облака непосредственно у протона существенно возрастает при движении вниз по таблице. Если бы т характеризовало плотность электронного облака непосредственно у протона, оно также возрастало бы в этом направлении, однако этого не наблюдается. [46]
Как уже говорилось выше, плотность электронного облака, окружающего атом, непрерывно убывает по мере удаления от ядра, поэтому атом не имеет четких границ, и его размер нельзя определить с абсолютной точностью. [47]
При разных знаках атомных орбиталей плотность электронного облака уменьшается. [48]
Молеку-лярые структуры и длины волн основных пиков поглощения нескольких первых полиаценов. [49] |
Электроны тг-связей делокализованы, причем плотность электронного облака сосредоточена по обе стороны от плоскости атомов углерода, а в узловой плоскости, совпадающей с плоскостью молекулы, равна нулю. Величина взаимодействия между тг-электронами соседних молекул определяет коллективные свойства молекул в органических кристаллах. Этот вопрос обсуждается ниже. [50]
Электронные облака s -, p -, d - и / - состояний. [51] |
В зависимости от угла меняется плотность электронного облака. При m 1 плотность электронного облака по оси Z равна нулю: облако вытянуто по оси х в экваториальной плоскости, являющейся сосредоточием плотности на концах двух эллипсоидов. [52]
Вероятность нахождения электронов, или плотность электронного облака, определяется квадратом волновой функции ( см. гл. [53]
Строение молекулы воды. [54] |
В результате того, что плотность электронных облаков, участвующих в образовании О - Н - свя-зей, оказывается выше вблизи электроотрицательного атома кислорода, в местах расположения протонов возникают эффективные положительные заряды. Неподеленные пары электронов, находящиеся на гибридных орби-талях, не участвующих в образовании ковалентной связи, создают сравнительно большую величину электронной плотности в противоположной части молекулы, способствуя появлению двух полюсов отрицательных зарядов. [55]
Зависимость потенциальной энергии системы из двух атомов водорода от межъядерного расстояния.| Перекрывание электронных облаков п молекуле водорода. [56] |
Изменение потенциальной энергии сопровождается изменением плотности электронных облаков. При сближении взаимодействующих атомов происходит взаимопроникновение электронных облаков, вследствие чего плотность отрицательного электричества в пространстве между центрами обоих атомоа возрастает. Положительно заряженные ядра атомов притягиваются к этой области повышенной плотности отрицательного электричества. [57]
Потенциальная энергия системы двух атомов водорода как функция расстояния между ядрами.| Схема перекрывания электронных облаков при образовании молекулы водорода. [58] |
Изменение потенциальной энергии сопровождается изменением плотности электронных облаков. При предельном сближении атомов происходит перекрывание их электронных облаков с образованием молекулярного облака. Оно располагается между центрами обоих ядер и имеет повышенную электронную плотность. Так объяснялось возникновение ковалентной связи, которая осуществляется почти во всех органических веществах и в некоторых неорганических соединениях неионного типа. [59]
Это приводит к дополнительному повышению плотности электронного облака на винильной группе, что и обусловливает полярографическое восстановление этого мономера при достаточно отрицательных потенциалах. [60]